大连化物所揭示二维钙钛矿量子阱材料中载流子输运新机制
基于第IV族半导体材料的高居里温度高载流子迁移率铁磁性半导体薄膜
水热沉积助力硒硫化锑太阳能电池效率突破
大尺寸高指数晶面单晶铜箔库的成功制备
时域比较器深亚稳态研究及其在高精度ADC自校准中的应用
用于高性能电子学的高密度半导体阵列碳纳米管
基于可重构谐振调节整流器的单级无线充电芯片
100MHz带宽72.6dB SNDR基于连续时间sigma delta调制器(CTDSM)的量化器(QTZ...
软件定义通信基带处理芯片
基于半球状半导体纳米线阵列仿生视网膜的电化学仿生眼
官方微信
友情链接

基于二维材料/Si异质结构的光电探测器

2020-08-31

自石墨烯单层的发现以来,相关研究经历了十多年的快速发展,对于二维材料光电子器件的研究取得了一系列引人注目的成果。由于二维材料分布宽广的带隙数值,其光电探测器在紫外光、可见光、红外光范围皆有广泛报道。而硅基光电探测器能够在成熟的传统微电子工艺中与二维材料体系完美结合,在下一代光电器件中具有广阔的前景。

近日,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室魏钟鸣研究员团队在《Journal of Semiconductors》上撰写News and Views文章《Photodetectors based on 2D material/Si heterostructure》,简要介绍了几种典型二维材料——石墨烯、黑磷、过渡金属硫族化合物的硅基异质结光电探测器。

目前,在该领域已经取得了很多重要进展,比如石墨烯的太赫兹光电探测器有望应用于太空探测领域,黑磷的偏振探测也取得了突破性进展等,但二维材料硅基光电探测器同时也面临着很多挑战,比如器件的可重复性、关键参数等有待进一步提高等。

Full Text: https://mp.weixin.qq.com/s/2M2XokqpDASjX9rZdP4Erg



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明