沙特阿卜杜拉国王科技大学Boon S. Ooi教授来半导体所交流
英国谢菲尔德大学John P.R. David教授来半导体所
半导体所共同主办的第四届国际高性能大数据暨智能系统会议(HDIS 2022)取得圆...
半导体所共同主办的第三届国际高性能大数据暨智能系统会议(HPBD&IS 2021)取...
复旦大学物理系金晓峰教授来半导体所交流
2020国际高性能大数据暨智能系统会议通知(第一轮)
美国麻省大学(University of Massachusetts Amherst, MA USA)Jun Yan副教授...
德国维尔茨堡大学(University of Würzburg, Germany)Wolfgang Kiefer教授来...
法国Jean Lamour研究所Thierry Belmonte所长和陆沅博士来半导体所交流
东京理工大学Shigehisa Arai教授来半导体所交流
官方微信
友情链接

天津大学姚建铨院士来半导体所参观访问

2013-12-27

  应全固态光源实验室主任林学春研究员邀请,天津大学精密仪器与光电子工程学院姚建铨院士于20131226日来所进行学术交流,在图书馆101会议室做了“黄昆半导体科学技术论坛” 217期报告,报告题目为新型微结构材料在激光及太赫兹技术中的应用”。 

  姚院士在激光非线性光学频率变换以及太赫兹波辐射研究领域取得系统的、创造性的成就,在国际上享有一定的声誉。姚院士从太赫兹波的广泛而重要的应用开始,详细介绍了双波长差频产生太赫兹波、高功率单色可调谐太赫兹辐射源的研究,以及微结构光学材料在激光技术、太赫兹技术等方面的重要应用。并对太赫兹波的未来发展方向进行展望。姚院士的报告主题鲜明、高屋建瓴,语言通俗易懂,极大地开阔了在座师生的眼界,拓展了大家的思路。会场学术交流氛围热烈,与会者踊跃提问,姚院士热情回答。报告后,林学春研究员向姚院士赠送了黄昆纪念礼品。

 

 



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明