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英国伦敦大学学院电子工程系刘会赟教授来半导体所交流

2018-07-13

 

应半导体所半导体材料科学重点实验室刘峰奇研究员的邀请, 2018712日上午),英国伦敦大学学院电子工程系刘会赟教授来半导体所进行学术交流,(并在黄昆半导体科学技术论坛上作第(324)期报告。)

交流会上,刘会赟教授作了题为“III-V Nanowires and Nanowire Devices Grown on Silicon Substrates”的学术报告,系统地介绍了Si衬底上III-V 纳米线和纳米线器件的研究进展,对Si衬底上GaAsP 纳米线、 AlGaAs纳米线的制备原理和技术进行了精辟的阐述,发表了自己独到的见解,并与在座的30余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流,使大家受益匪浅。

    此外,半导体所祝宁华、赵建华、杨涛、徐波等研究员与刘会赟教授进行了座谈,大家感谢他在百忙之中来半导体所作学术报告并进行学术交流,希望双方能进一步加强合作,不断促进我所与伦敦大学学院电子工程系的友好合作关系。

    



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