应半导体所半导体材料科学重点实验室刘峰奇研究员的邀请， （2018年7月12日上午），英国伦敦大学学院电子工程系刘会赟教授来半导体所进行学术交流，（并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第（324）期报告。）

交流会上，刘会赟教授作了题为“III-V Nanowires and Nanowire Devices Grown on Silicon Substrates”的学术报告，系统地介绍了Si衬底上III-V 纳米线和纳米线器件的研究进展，对Si衬底上GaAsP 纳米线、 AlGaAs纳米线的制备原理和技术进行了精辟的阐述，发表了自己独到的见解，并与在座的30余名博士和硕士研究生进行了热烈的讨论和交流，使大家受益匪浅。