中国共产党党员，中国科学院院士，我国杰出的微电子科学家，中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院半导体研究所初创与发展期的重要开拓者吴德馨先生，因病于2026年3月23日在北京逝世，享年90岁。

吴德馨先生与半导体所渊源深厚。半导体所见证了她科研之路的肇始、矢志报国的赤诚，也承载了她二十五载初心不改的坚守、夜以继日的耕耘。1986年她调离半导体所后，依旧关切研究所发展，倾力襄助国家半导体事业发展。她与半导体所王圩院士伉俪情深、同心报国，共同铸就了我国科技界一段夫妻院士携手奋进的传世佳话。

在此刊发纪念文章，缅怀她为半导体所的建设和我国半导体科技的发展所作的卓越贡献，寄托我们的哀思。

以身许国 与所同行

1936年，吴德馨先生出生于河北乐亭。1961年，她从清华大学无线电电子工程系毕业，被分配到半导体所工作，在此拓荒攻坚二十五载。

半导体所的创建历程、吴德馨先生的求学抉择与毕生追求，都与国家战略布局紧密相连：1956年，我国十二年科学技术发展远景规划将半导体科学技术列入国家新技术“四大紧急措施”，并明确要加强半导体学科体系建设、系统培养专业人才。应国家发展之需，1960年9月6日，半导体所正式成立。清华大学也响应国家号召，强化电子物理、半导体等基础学科方向建设。作为清华大学首批半导体专业的毕业生，她怀揣着助力国家半导体事业起步的初心投身半导体所发展。

吴德馨先生入所后与王守武、林兰英、王守觉等学界前辈共事，深受他们的悉心指导与提携。建所之初，半导体所成立有器件研究室，下设器件组等7个研究组，王守觉先生担任室主任兼器件组组长，吴德馨先生为组员。自此，她开启了与我国半导体事业同频共振、共生共长的奋斗历程。

图1 王守武先生、吴德馨先生早年工作照片

初膺重任 成果斐然

从1962年至1964年，在王守觉先生的指导下，吴德馨先生作为课题负责人，承担了十二年科学技术发展远景规划中“平面型高速开关晶体管的研究”，独立自主地解决了提高开关速度的关键问题，开关速度达到当时国际同类产品水平。该技术在中国科学院109厂和上海器件五厂进行了推广，打破了西方国家对我国的封锁，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件，产生了重大的经济和社会效益，获全国新产品一等奖。

1965年，吴德馨先生从一名组员成长为器件研究室207组组长。在前期技术积累基础上，上世纪60年代末，她带领团队研制出介质隔离数字集成电路与高阻抗运算放大器模拟电路，为我国早期数字与模拟集成电路的自主研发奠定了基础。

在事业收获成就的同时，1966年，吴德馨先生与同为半导体所科研人员的王圩先生结为伉俪。从此，两人相濡以沫、携手前进，始终把为祖国半导体事业的发展奉献力量作为奋斗目标。

图2 王圩、吴德馨夫妻早年合影

图3 王圩、吴德馨夫妻金婚留念

沐春砺行 矢志登攀

1977年，全国自然科学学科规划会议在北京召开，全国科研单位和高等院校的专家学者及管理干部共1200余人参会。会议结束时，中央领导人华国锋、邓小平等接见了参会代表。半导体所王守觉、吴德馨与魏策军等作为参会代表受到了接见。这次会议是“科学的春天”到来之前的重要序幕，会上邓小平同志针对我国集成电路产业发展的迫切需求提出，“你们一定要把大规模集成电路搞上去”。半导体所旋即掀起了攻克“4K位MOS动态随机存储器”难关的高潮。

图4 1977年全国自然科学学科规划会议合影

王守觉（二排左二）、吴德馨（四排左一）、魏策军（后排左一）

1978年底，半导体所承担N-MOS 4096位动态随机存储器（DRAM）研制重任，前任所领导刘再生同志亲自挂帅，王守武先生担任超净线总负责人，吴德馨先生具体负责协同工作。作为表面器件研究室405组组长，她在王守武先生的指导下，带领团队开展工艺和版图设计研究，研制成功N-MOS 4096 位动态随机存储器（DRAM）。她还在国内首次将正性胶光刻、干法刻蚀等先进工艺用于大规模集成电路研制，独创“露点法”检测接触孔质量，大幅提升了大规模集成电路成品率。随后，她与团队接续攻克16K、64K位DRAM 技术，推动了我国存储器技术迭代升级。

图5-1 半导体所图形发生器制作的MOS 4K大改版原版

图5-2 MOS 16K存储器原版-多晶硅版

1980年，“N沟MOS 4096位动态随机存储器提高管芯成品率的研究”“16K位MOS 动态随机存储器”获得中国科学院科技成果一等奖。

图6  1985年，前任所领导刘再生同志（前排右三）祝寿活动合影。王守武（前排右二）、林兰英（前排右一）、王守觉（前排左二）、王启明（前排左一）、吴德馨（二排左一）

身赴新程 心系所兴

1985年12月，经国家科学技术委员会批准，半导体所研制大规模集成电路的1条超净线（吴德馨先生领导）、1个研究室和其他2个研究组与109工厂合并，于1986年1月成立了中国科学院微电子中心。吴德馨先生调任副主任，成为我国微电子科研机构建设与技术攻关的核心带头人。

吴德馨先生虽然调离半导体所，始终心系自己事业启航之地，感念研究所同仁昔日给予的关怀与指导。她视王守武院士为恩师，曾在《王守武院士科研活动论著选集》撰文，深情回忆了王守武先生对青年科技人员的指导和帮助，感佩王先生学识渊博、坚韧不拔、实事求是、严肃认真、言传身教、一丝不苟的优秀品质。她一如既往关心半导体所的建设与发展，通过项目评审、资源协调、学术合作、人才指导等多种方式给予大力支持。对于依托半导体所建设的国家光电子工艺中心，她凭借在集成电路工艺、超净线建设与大规模集成电路研发方面的深厚积累，为中心建设提供权威指导，在评审验收等关键节点发挥了重要作用。

图7 国家光电子工艺中心“七五”建设引进项目同行专家预验收会合影，王守武（前排左七）、吴德馨（前排左五）

图8  国家光电子工艺中心“七五”建设引进项目同行专家预验收，吴德馨先生（左二）现场考察

图9  1992年1月7日，江泽民同志视察半导体所。温家宝（前排右五）、周光召（前排右六）、黄昆（前排左四）、王守武（前排右二）、林兰英（前排右三）、王守觉（前排左二）、吴德馨（二排左五）

图10  2020年9月4日，半导体所召开纪念建所60周年学术研讨会，吴德馨先生参会

吴德馨先生为祖国的半导体与微电子事业倾注了毕生心血，用一生诠释了爱国奉献、严谨求实的科学家精神。她的爱国情怀与崇高风范，将激励我们敢为人先、勇毅前行，为国家半导体科技事业作出积极贡献。

吴德馨先生千古！德馨长存！