2023年有效专利

   

联系人:曹永胜、卢鹏志

联系电话:010-82304880/4204


2023年有效专利列表

序号

专利名称

专利号

第一发明人

领域

1

一种硅基电吸收调制器及其制备方法

ZL.201810661477.2

刘智

半导体材料制备与器件研制

2

采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法

ZL.201010143078.0

王晓峰

半导体材料制备与器件研制

3

采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法

ZL.201010141024.0

王晓峰

半导体材料制备与器件研制

4

距离选通空间能量包络多脉冲延时积分整形方法

ZL.201410104280.0

王新伟

半导体材料制备与器件研制

5

利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法

ZL.202011533232.5

高洁

半导体材料制备与器件研制

6

一种双通道宽光谱探测器及其制备方法

ZL.201610518156.8

韩玺

半导体材料制备与器件研制

7

一种硅基可调偏振旋转器件

ZL.201510716751.8

郭德汾

半导体材料制备与器件研制

8

一种基于电磁感应的加热装置

ZL.201710738799.8

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

9

基于SiN微盘夹心层结构的单光子源的制备方法及器件

ZL.202010706664.5

林必波

半导体材料制备与器件研制

10

采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法

ZL.201110093370.0

王晓峰

半导体材料制备与器件研制

11

一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具

ZL.201210211614.5

梁平

半导体材料制备与器件研制

12

Si基上制备InPHEMT的方法

ZL.201310061105.3

李士颜

半导体材料制备与器件研制

13

一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及制备方法

ZL.201910292848.9

王开友

半导体材料制备与器件研制

14

抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法

ZL.202010234397.6

陈平

半导体材料制备与器件研制

15

基于角膜接触镜的光学眼压检测设备及制备、使用方法

ZL.201910145025.3

裴为华

半导体材料制备与器件研制

16

半导体激光合束装置

ZL.201910145021.5

廖文渊

半导体材料制备与器件研制

17

具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件

ZL.202010583152.4

王开友

半导体材料制备与器件研制

18

集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法

ZL.201910526911.0

郑军

半导体材料制备与器件研制

19

一种宽禁带功率半导体器件及制备方法

ZL.202011264915.5

申占伟

半导体材料制备与器件研制

20

在半导体ZnO上外延制备HfO2基铁电薄膜的方法及其系统

ZL.202110252819.7

程勇

半导体材料制备与器件研制

21

微纳射频器件及其制备方法

ZL.202110353170.8

陈泽基

半导体材料制备与器件研制

22

一种量子级联激光器芯片及其制备方法

ZL.202110344373.0

杨科

半导体材料制备与器件研制

23

集成硅基布拉格反射器的合分波器件及制备方法

ZL.202110675194.5

陈寅芳

半导体材料制备与器件研制

24

单行载流子探测器及其制备方法

ZL.202110754203.X

邵翰骁

半导体材料制备与器件研制

25

一种制备半导体固态白光光源的方法

ZL.200810226287.4

徐云

半导体材料制备与器件研制

26

高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法

ZL.201310176608.5

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

27

密封传动装置

ZL.201410018204.8

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

28

基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法

ZL.201410112734.9

康贺

半导体材料制备与器件研制

29

低电阻率P型氮化镓材料及其制备方法

ZL.201510996216.2

杨静

半导体材料制备与器件研制

30

金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器

ZL.201610797852.7

孙莉莉

半导体材料制备与器件研制

31

基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机及制备方法、集成结构

ZL.201710164775.6

徐云

半导体材料制备与器件研制

32

GaN基激光器及其制备方法

ZL.201710559781.1

赵德刚

半导体材料制备与器件研制

33

含内建电场的自旋阀和包含所述自旋阀的自旋电子器件

ZL.201911124047.8

王开友

半导体材料制备与器件研制

34

侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法

ZL.202011566704.7

董慧

半导体材料制备与器件研制

35

柔性微型电容器及其制备方法

ZL.202110487786.4

沈国震

半导体材料制备与器件研制

36

波导耦合的雪崩光电探测器及其制备方法

ZL.202111017878.2

庞雅青

半导体材料制备与器件研制

37

利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法

ZL.200610003072.7

杨少延

半导体材料制备与器件研制

38

用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置

ZL.201010033962.9

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

39

选区外延单片集成的波长转换器件

ZL.201310127562.8

牛斌

半导体材料制备与器件研制

40

采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法

ZL.201410191727.2

黄北举

半导体材料制备与器件研制

41

阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极

ZL.201510094612.6

陈平

半导体材料制备与器件研制

42

宽光谱晶闸管激光器的制备方法

ZL.201710062988.8

王嘉琪

半导体材料制备与器件研制

43

在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法

ZL.201811104242.X

程传同

半导体材料制备与器件研制

44

声学滤波器与HEMT异构集成的结构及其制备方法

ZL.201811296447.2

张韵

半导体材料制备与器件研制

45

混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法

ZL.202010369829.4

冯佐

半导体材料制备与器件研制

46

一种波导耦合的光电探测器及其制备方法

ZL.202010846271.4

刘智

半导体材料制备与器件研制

47

一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元

ZL.201910971139.3

王开友

半导体材料制备与器件研制

48

在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法

ZL.201110100538.6

汪明

半导体材料制备与器件研制

49

HTCVD法碳化硅晶体生长装置

ZL.201110264570.8

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

50

大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法

ZL.201110283050.1

张雨溦

半导体材料制备与器件研制

51

一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法

ZL.201510346075.X

鲁军

半导体材料制备与器件研制

52

一种Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法

ZL.201510896670.0

张均营

半导体材料制备与器件研制

53

金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座

ZL.201610320424.5

刘双韬

半导体材料制备与器件研制

54

AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法

ZL.201710671295.9

汪连山

半导体材料制备与器件研制

55

碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法

ZL.201810164916.9

申占伟

半导体材料制备与器件研制

56

单模砷化镓基量子点激光器的制备方法

ZL.201910896555.1

杨涛

半导体材料制备与器件研制

57

面内不对称的磁存储单元和制备方法

ZL.201910971140.6

王开友

半导体材料制备与器件研制

58

基于硅基PIN探测器的n-p-i-n光电三极管及其制备方法

ZL.202110278241.2

王宁

半导体材料制备与器件研制

59

单光子雪崩光电探测器及其制备方法

ZL.202111017952.0

庞雅青

半导体材料制备与器件研制

60

V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法

ZL.201110206340.6

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

61

基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置

ZL.201110343625.4

毛旭

半导体材料制备与器件研制

62

可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法

ZL.201310447427.1

闫方亮

半导体材料制备与器件研制

63

同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法

ZL.201410563124.0

李翔

半导体材料制备与器件研制

64

碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构

ZL.201510094613.0

陈平

半导体材料制备与器件研制

65

低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法

ZL.201810534896.X

孟磊

半导体材料制备与器件研制

66

用于半导体光电子器件测试和透镜耦合的夹具

ZL.201811309972.3

王建坤

半导体材料制备与器件研制

67

一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法

ZL.202010240167.0

马骁宇

半导体材料制备与器件研制

68

隔热导电偏压衬底托

ZL.202010735304.8

陈亚男

半导体材料制备与器件研制

69

Si基上制备InPn-MOS器件的方法

ZL.201310023622.1

李士颜

半导体材料制备与器件研制

70

一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法

ZL.201410337785.1

赵丹梅

半导体材料制备与器件研制

71

直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件

ZL.201810203008.6

骆军委

半导体材料制备与器件研制

72

一种铝掺杂氧化锌薄膜表面改性材料、制备方法及电池

ZL.201910116789.X

孟磊

半导体材料制备与器件研制

73

锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法

ZL.202010256997.2

赵越

半导体材料制备与器件研制

74

磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用

ZL.202010309260.2

魏钟鸣

半导体材料制备与器件研制

75

大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

ZL.201010235859.2

杨晋玲

半导体材料制备与器件研制

76

增强聚对二甲苯薄膜与金属层粘附性的方法

ZL.201410541559.5

裴为华

半导体材料制备与器件研制

77

一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统及其方法

ZL.201510067561.8

许兴胜

半导体材料制备与器件研制

78

一种Cu@SiO2核壳结构的制备方法

ZL.201510896594.3

张均营

半导体材料制备与器件研制

79

确定含有单层石墨烯区的石墨烯样品堆垛次序的方法

ZL.201710546012.8

谭平恒

半导体材料制备与器件研制

80

基于SiGe材料的电调谐有源波导结构以及应用其的MZI结构

ZL.201810318367.6

匡迎新

半导体材料制备与器件研制

81

一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法

ZL.201811108728.0

孟磊

半导体材料制备与器件研制

82

自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法

ZL.201910102886.3

耿照新

半导体材料制备与器件研制

83

硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法

ZL.201910519509.X

杨文宇

半导体材料制备与器件研制

84

用于等离子体化学气相的样品支架

ZL.202110072158.X

周广迪

半导体材料制备与器件研制

85

单片集成边发射激光器及制备方法

ZL.202110639802.7

刘安金

半导体材料制备与器件研制

86

制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法

ZL.201210436128.3

程滟

半导体材料制备与器件研制

87

硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法

ZL.201310176286.4

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

88

一种雪崩光电二极管及其制作方法

ZL.201410818494.4

向伟

半导体材料制备与器件研制

89

硅衬底及其制备方法

ZL.201510266643.5

袁国栋

半导体材料制备与器件研制

90

铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法

ZL.201610892160.0

孙姚耀

半导体材料制备与器件研制

91

一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法

ZL.201810254393.7

蒋志

半导体材料制备与器件研制

92

制备氮化镓基纳米环结构的方法

ZL.201810498089.7

刘喆

半导体材料制备与器件研制

93

窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法

ZL.202010139459.5

孙甲政

半导体材料制备与器件研制

94

一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法

ZL.202110764252.1

刘智

半导体材料制备与器件研制

95

百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法

ZL.200810225785.7

陈熙

半导体材料制备与器件研制

96

运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备

ZL.201110206038.0

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

97

一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法

ZL.201210124792.4

李盼盼

半导体材料制备与器件研制

98

基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法

ZL.201310503797.2

喻颖

半导体材料制备与器件研制

99

提高AlN外延薄膜荧光强度的方法

ZL.201310585868.8

王维颖

半导体材料制备与器件研制

100

倒装阳极的纳米真空三极管结构及制备方法

ZL.201510520866.X

梁锋

半导体材料制备与器件研制

101

GaN基多孔DBR的制备方法

ZL.201710222145.X

杨超

半导体材料制备与器件研制

102

基于CMOS后工艺实现的三维光电集成滤波器及其制备方法

ZL.201810062157.5

黄北举

半导体材料制备与器件研制

103

基于CMOS后工艺实现的三维光电集成光栅耦合器及制备方法

ZL.201810062158.X

黄北举

半导体材料制备与器件研制

104

三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法

ZL.201910570912.5

张晓迪

半导体材料制备与器件研制

105

基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法

ZL.201910915598.X

黄皖

半导体材料制备与器件研制

106

基于加速度计和陀螺仪的人体呼吸情况采集贴及制备方法

ZL.202010087625.1

王思凯

半导体材料制备与器件研制

107

基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法

ZL.202110186788.X

邵泓焰

半导体材料制备与器件研制

108

像素器件

ZL.202110323016.6

顾超

半导体材料制备与器件研制

109

自支撑氮化镓衬底的制作方法

ZL.201110134149.5

孙波

半导体材料制备与器件研制

110

应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法

ZL.201110206037.6

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

111

铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法

ZL.201210467084.0

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

112

基于光子晶体的可集成量子行走器件

ZL.201310154044.5

郑婉华

半导体材料制备与器件研制

113

THz天线阵列的制作方法

ZL.201410412325.0

梁松

半导体材料制备与器件研制

114

无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法

ZL.201410758310.X

詹腾

半导体材料制备与器件研制

115

具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法

ZL.201611180940.9

宋国峰

半导体材料制备与器件研制

116

用于薄膜材料生长的感应加热装置

ZL.201710728514.2

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

117

基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法

ZL.201811000562.0

谢圣文

半导体材料制备与器件研制

118

柔性VCSEL阵列器件及其制备方法

ZL.201811529496.6

李川川

半导体材料制备与器件研制

119

硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法

ZL.201910776612.2

潘东

半导体材料制备与器件研制

120

三维空间束缚单杂质原子晶体管及其制备方法

ZL.201811417296.1

窦亚梅

半导体材料制备与器件研制

121

大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法

ZL.202010116917.3

李亚节

半导体材料制备与器件研制

122

场效应晶体管器件

ZL.202010144306.X

马培培

半导体材料制备与器件研制

123

量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法

ZL.202010557214.4

何小武

半导体材料制备与器件研制

124

一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法

ZL.202010774987.8

贾晓皓

半导体材料制备与器件研制

125

一种面发射激光器及其制备方法

ZL.202011275473.4

刘安金

半导体材料制备与器件研制

126

一种用于疾病诊断的光学生物芯片与制备方法

ZL.200610165543.4

宋国峰

半导体材料制备与器件研制

127

纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法

ZL.201310062552.0

裴为华

半导体材料制备与器件研制

128

应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构

ZL.201410734012.7

司朝伟

半导体材料制备与器件研制

129

Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法

ZL.201610552010.5

鲁军

半导体材料制备与器件研制

130

电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件

ZL.201611213900.X

王开友

半导体材料制备与器件研制

131

一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法

ZL.201611241390.7

许兴胜

半导体材料制备与器件研制

132

一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法

ZL.201710029889.X

成步文

半导体材料制备与器件研制

133

多孔Ⅲ族氮化物及其制备方法

ZL.201811182263.3

赵丽霞

半导体材料制备与器件研制

134

背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法

ZL.201811143763.6

苏艳梅

半导体材料制备与器件研制

135

MOS器件的制备方法及MOS器件

ZL.202011029074.X

申占伟

半导体材料制备与器件研制

136

基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法

ZL.202011068518.0

邵泓焰

半导体材料制备与器件研制

137

双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法

ZL.201210348006.9

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

138

InGaN量子点的外延结构及生长方法

ZL.201410784663.7

刘炜

半导体材料制备与器件研制

139

基于开口孔共振耦合效应的等离激元全光逻辑器件

ZL.201510236362.5

王宇飞

半导体材料制备与器件研制

140

一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法

ZL.201810762721.4

申占伟

半导体材料制备与器件研制

141

温度控制芯片、其制备方法及包含其的温度控制芯片系统

ZL.201810952470.6

节俊尧

半导体材料制备与器件研制

142

激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件

ZL.201910496207.5

王开友

半导体材料制备与器件研制

143

一种用于确定AMZI偏振无关温控条件的装置及方法

ZL.201910693026.1

李骁

半导体材料制备与器件研制

144

非对称三波导结构的偏振分束器及其制备方法

ZL.201911218413.6

牛超群

半导体材料制备与器件研制

145

含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法

ZL.202010337090.9

侯玉菲

半导体材料制备与器件研制

146

基于摩尔曲线的分形集总电容器及其制备方法

ZL.202110278227.2

张高露

半导体材料制备与器件研制

147

一种半导体薄膜生长装置及其生长方法

ZL.201310315026.0

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

148

小型化、集成化的硅基场发射-接收器件

ZL.201510094671.3

陈平

半导体材料制备与器件研制

149

一种微流控芯片及其制备方法

ZL.201910121016.0

刘晓晨

半导体材料制备与器件研制

150

单片集成双波长半导体激光器及其制备方法

ZL.201811485068.8

杨成奥

半导体材料制备与器件研制

151

氮化镓基激光器及其制备方法

ZL.201910552033.X

梁锋

半导体材料制备与器件研制

152

应变锗沟道晶体管及其制备方法

ZL.202011584695.4

何力

半导体材料制备与器件研制

153

具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法

ZL.201210033517.1

赵建华

半导体材料制备与器件研制

154

半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法

ZL.201310296013.3

赵丽霞

半导体材料制备与器件研制

155

带间级联激光器及其制备方法

ZL.201310553805.4

邢军亮

半导体材料制备与器件研制

156

用于碳化硅生长的高温装置及方法

ZL.201510008972.X

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

157

一种反向PN型掺杂结构及制备方法

ZL.201710063245.2

刘亚东

半导体材料制备与器件研制

158

一种空间光束相位调控器件

ZL.201710649376.9

韦欣

半导体材料制备与器件研制

159

一种可延展柔性的光电针灸器件及其制备方法

ZL.201810339609.X

徐云

半导体材料制备与器件研制

160

可重构集成微波光子射频前端器件

ZL.201710385328.3

石暖暖

半导体材料制备与器件研制

161

AlN薄膜的制备方法

ZL.201810810552.7

冉军学

半导体材料制备与器件研制

162

一种磷化铟基光学混频器及其制备方法

ZL.201910315599.0

陆子晴

半导体材料制备与器件研制

163

太赫兹半导体激光器、其制备方法及应用

ZL.201910908200.X

赵方圆

半导体材料制备与器件研制

164

常关型场效应晶体管及其制备方法

ZL.202010085145.1

郑军

半导体材料制备与器件研制

165

等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法

ZL.202010719942.0

赵丽霞

半导体材料制备与器件研制

166

空间光调制器及其制备方法

ZL.202011499623.X

田立飞

半导体材料制备与器件研制

167

条纹相机反射式离轴光学耦合装置

ZL.201110133353.5

金鹏

半导体材料制备与器件研制

168

锗基赝砷化镓衬底的制备方法

ZL.201210057303.8

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

169

一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法

ZL.201310069787.2

米俊萍

半导体材料制备与器件研制

170

一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法

ZL.201310315012.9

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

171

基于可见光通信的单片机音频存储与广播系统及方法

ZL.201410244847.4

陈雄斌

半导体材料制备与器件研制

172

基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法

ZL.201510522409.4

刘炜

半导体材料制备与器件研制

173

片上集成半导体激光器结构及其制备方法

ZL.201910061317.9

杨成奥

半导体材料制备与器件研制

174

调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法

ZL.201811467732.6

王军喜

半导体材料制备与器件研制

175

无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法

ZL.201910179100.8

张明亮

半导体材料制备与器件研制

176

一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法

ZL.201910187930.5

于天

半导体材料制备与器件研制

177

衬底托

ZL.202020868043.2

金鹏

半导体材料制备与器件研制

178

一种制备微小化固态白光光源的方法

ZL.200810226286.X

徐云

半导体材料制备与器件研制

179

一种硅基光电器件集成方法

ZL.200910091402.6

李运涛

半导体材料制备与器件研制

180

一种硅神经电极混合集成器件的制造方法

ZL.201410028793.8

张旭

半导体材料制备与器件研制

181

源输送混合比可调气路装置

ZL.201410092524.8

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

182

InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品

ZL.201610361608.6

宋国峰

半导体材料制备与器件研制

183

基于多孔DBRGaNVCSEL芯片及制备方法

ZL.201710220057.6

杨超

半导体材料制备与器件研制

184

氮化物纳米带的制备方法

ZL.201710063306.5

袁国栋

半导体材料制备与器件研制

185

用于微波等离子体化学气相沉积设备的组合式衬底基座

ZL.201610320201.9

付方彬

半导体材料制备与器件研制

186

金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体及其制备方法

ZL.201810722928.9

赵丽霞

半导体材料制备与器件研制

187

电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法

ZL.201910102887.8

李亚节

半导体材料制备与器件研制

188

一种数字PCR芯片及其制备方法

ZL.201910534596.6

刘文文

半导体材料制备与器件研制

189

一种光子芯片及其制备方法

ZL.201910648713.1

杨林

半导体材料制备与器件研制

190

一种半导体/超导体异质结纳米线网络的制备方法

ZL.202010583153.9

潘东

半导体材料制备与器件研制

191

用于薄片材料解离和转移的装置

ZL.201721906477.1

刘祎慧

半导体材料制备与器件研制

192

可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法

ZL.201210374777.5

梁松

半导体材料制备与器件研制

193

Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池

ZL.201710248369.8

黄鹏

半导体材料制备与器件研制

194

开放式单细胞研究用芯片及其制备方法

ZL.201710951273.8

王琛瑜

半导体材料制备与器件研制

195

半导体器件及其制备方法

ZL.201711217590.3

张韵

半导体材料制备与器件研制

196

基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法

ZL.201910115264.4

张冶金

半导体材料制备与器件研制

197

基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法

ZL.201910454743.9

姬小利

半导体材料制备与器件研制

198

光器件宽带频率响应测量方法及装置

ZL.201910795108.7

文俊

半导体材料制备与器件研制

199

微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法

ZL.202110487994.4

朱怡璇

半导体材料制备与器件研制

200

石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法

ZL.202010881738.9

任慧雪

半导体材料制备与器件研制

201

气相沉积设备的进气喷淋头

ZL.201920622058.8

魏鸿源

半导体材料制备与器件研制

202

一种柔性锂离子电池及网络状钛酸锂电极结构的制备方法

ZL.201310722472.3

沈国震

半导体材料制备与器件研制

203

一种双面散热量子级联激光器器件结构

ZL.201410687356.7

闫方亮

半导体材料制备与器件研制

204

用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘

ZL.201510002676.9

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

205

一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法

ZL.201510876293.4

刘胜北

半导体材料制备与器件研制

206

半导体激光器及不同折射率腔面膜的制备方法

ZL.201811514009.9

周代兵

半导体材料制备与器件研制

207

电池负极材料及其制备方法、锂电池

ZL.201910365768.1

黄鹏

半导体材料制备与器件研制

208

具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件

ZL.202010600335.2

郭亚楠

半导体材料制备与器件研制

209

分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法

ZL.202011533170.8

李利安

半导体材料制备与器件研制

210

连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置

ZL.201110267894.7

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

211

N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法

ZL.201310084016.0

楚新波

半导体材料制备与器件研制

212

硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法

ZL.201310306847.8

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

213

硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法

ZL.201310306968.2

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

214

一种应用于光电子器件封装的光耦合设备

ZL.201410344680.9

邓晔

半导体材料制备与器件研制

215

低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法

ZL.201410426219.8

杨静

半导体材料制备与器件研制

216

环形检测电极面内伸缩谐振器设计及其制备方法

ZL.201510810985.9

张萌

半导体材料制备与器件研制

217

直接调制激光器微带制备方法及由此得到的微带和激光器

ZL.201610020563.6

肖志雄

半导体材料制备与器件研制

218

应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法

ZL.201610183087.X

杨静

半导体材料制备与器件研制

219

硅基横向注入激光器及其制备方法

ZL.201610836551.0

刘智

半导体材料制备与器件研制

220

具有n-p-n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法

ZL.201811432850.3

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

221

在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法

ZL.201910192567.6

张韵

半导体材料制备与器件研制

222

一种AlGaN基二极管及其制备方法

ZL.202010145389.4

张韵

半导体材料制备与器件研制

223

量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法

ZL.202010252674.6

李叔伦

半导体材料制备与器件研制

224

相干探测器芯片及其制备方法

ZL.202011199919.X

叶焓

半导体材料制备与器件研制

225

自旋轨道矩器件及其操作方法、装置

ZL.202110477473.0

王开友

半导体材料制备与器件研制

226

光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法

ZL.202110596902.6

杨正霞

半导体材料制备与器件研制

227

一种高速高增益的雪崩光电探测器及制备方法

ZL.202110810709.8

杨晓红

半导体材料制备与器件研制

228

热蒸发源炉

ZL.202020869458.1

金鹏

半导体材料制备与器件研制

229

高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法

ZL.200810101761.0

杨涛

半导体材料制备与器件研制

230

碳化硅外延层区域掺杂的方法

ZL.201510490656.0

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

231

可降低电学串扰的单光子探测器阵列及制备方法

ZL.201910197797.1

刘凯宝

半导体材料制备与器件研制

232

六方氮化硼紫外光探测器及制备方法

ZL.202010063708.7

张兴旺

半导体材料制备与器件研制

233

三端人工光学突触及其制备方法

ZL.202011643161.4

程传同

半导体材料制备与器件研制

234

InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法

ZL.201410153659.0

蒋洞微

半导体材料制备与器件研制

235

一种超声波触觉反馈系统及其制造方法

ZL.201510266849.8

王小青

半导体材料制备与器件研制

236

980nm半导体激光器结构及制备方法

ZL.201610370735.2

郭文涛

半导体材料制备与器件研制

237

单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法

ZL.201610584646.8

马奔

半导体材料制备与器件研制

238

ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法

ZL.201811065138.4

刘志强

半导体材料制备与器件研制

239

谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备方法

ZL.201910465860.5

何玉铭

半导体材料制备与器件研制

240

pinGaN雪崩器件p层载流子浓度测量方法

ZL.202010394919.9

曹子坤

半导体材料制备与器件研制

241

光刻胶辅助局域加热的磁存储单元、制备方法和逻辑器件

ZL.201910971536.0

王开友

半导体材料制备与器件研制

242

红外探测器及其制备方法

ZL.202111239358.6

周文广

半导体材料制备与器件研制

243

用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺

ZL.201010033965.2

殷海波

半导体材料制备与器件研制

244

一种化学气相沉积装置

ZL.201010162506.4

段瑞飞

半导体材料制备与器件研制

245

氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法

ZL.201110177081.9

郑怀文

半导体材料制备与器件研制

246

双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法

ZL.201310028764.7

姚丹阳

半导体材料制备与器件研制

247

一种硅基III-VnMOS器件的制作方法

ZL.201310068781.3

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

248

利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统

ZL.201310594552.5

査国伟

半导体材料制备与器件研制

249

行星式旋转托盘装置

ZL.201410054225.5

刘立莉

半导体材料制备与器件研制

250

一种绿光激光器外延片及其制备方法

ZL.201511001357.2

杨静

半导体材料制备与器件研制

251

四波长输出半导体激光器及其制备方法

ZL.201610880873.5

魏思航

半导体材料制备与器件研制

252

一种单片集成平衡探测器及其制备方法

ZL.201611241397.9

张莉萌

半导体材料制备与器件研制

253

可延展柔性无机光电子器件及其制备方法

ZL.201611182489.4

江宇

半导体材料制备与器件研制

254

制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法

ZL.201711467108.1

孟军华

半导体材料制备与器件研制

255

神经光电极及其制备方法

ZL.201910132172.7

裴为华

半导体材料制备与器件研制

256

MOSFET器件

ZL.201910175096.8

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

257

一种衍射环结构II类超晶格红外探测器及其制备方法

ZL.202011028961.5

徐云

半导体材料制备与器件研制

258

空间光调制器及其制备方法

ZL.202111361844.5

田立飞

半导体材料制备与器件研制

259

一种智能光探测器及其使用方法和制备方法

ZL.202111680317.0

程传同

半导体材料制备与器件研制

260

W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法

ZL.201110027237.5

迂修

半导体材料制备与器件研制

261

一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法

ZL.201310024040.5

赵建华

半导体材料制备与器件研制

262

一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法

ZL.201310068749.5

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

263

一种金属纳米圆环的制备方法

ZL.201310144380.1

孙莉莉

半导体材料制备与器件研制

264

制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法

ZL.201310503124.7

喻颖

半导体材料制备与器件研制

265

基于光子晶体自准直效应的可集成光量子行走器件

ZL.201310750514.4

郑婉华

半导体材料制备与器件研制

266

高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法

ZL.201410412107.7

刘炜

半导体材料制备与器件研制

267

半导体激光器及其制备方法

ZL.201711346623.4

张韵

半导体材料制备与器件研制

268

偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法

ZL.201910855262.9

陆子晴

半导体材料制备与器件研制

269

片上键合Si/III-V量子点单光子源及其制备方法

ZL.201811343981.4

许兴胜

半导体材料制备与器件研制

270

p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法

ZL.202010262718.3

张韵

半导体材料制备与器件研制

271

采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法

ZL.201210032754.6

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

272

半导体发光器件及其制造方法

ZL.201210375368.7

郭恩卿

半导体材料制备与器件研制

273

双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法

ZL.201310029832.1

邢军亮

半导体材料制备与器件研制

274

适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法

ZL.201610065321.9

徐云

半导体材料制备与器件研制

275

一种缓冲层结构及其制备方法

ZL.201911360215.3

周广迪

半导体材料制备与器件研制

276

电泵浦量子点单光子源及其制备方法

ZL.201811389487.1

许兴胜

半导体材料制备与器件研制

277

基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用

ZL.202010666456.7

赵丽霞

半导体材料制备与器件研制

278

柔性电容器装置及其制备方法

ZL.202110487710.1

沈国震

半导体材料制备与器件研制

279

GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法

ZL.201310079069.3

査国伟

半导体材料制备与器件研制

280

一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(GaMn)As薄膜的方法

ZL.201410552789.1

赵建华

半导体材料制备与器件研制

281

硅基电注入激光器及其制备方法

ZL.201710255128.6

王梦琦

半导体材料制备与器件研制

282

渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法

ZL.201810959840.9

张一

半导体材料制备与器件研制

283

基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法

ZL.201910116636.5

姜向伟

半导体材料制备与器件研制

284

光电子集成器件的光互联方法

ZL.202110181537.2

王欣

半导体材料制备与器件研制

285

氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法

ZL.201110401468.8

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

286

制备MSM结构CZT探测器的方法

ZL.201310106858.1

裴为华

半导体材料制备与器件研制

287

一种线状的具有光探性能的柔性超级电容器及制备方法

ZL.201310716914.3

沈国震

半导体材料制备与器件研制

288

一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法

ZL.201410284235.8

李传波

半导体材料制备与器件研制

289

SiCHEMT器件的制备方法

ZL.201510416658.5

申占伟

半导体材料制备与器件研制

290

一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法

ZL.201610318436.4

刘波亭

半导体材料制备与器件研制

291

叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法

ZL.201611202129.6

邓秋芳

半导体材料制备与器件研制

292

激光器的侧边耦合光栅及其制备方法、包含其的激光器

ZL.201610251536.X

徐云

半导体材料制备与器件研制

293

基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法

ZL.201810727123.3

蒋志

半导体材料制备与器件研制

294

InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构

ZL.201811274583.1

刘双韬

半导体材料制备与器件研制

295

圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法

ZL.201910219690.2

潘东

半导体材料制备与器件研制

296

用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底及其制备方法

ZL.202010146464.9

霍晓迪

半导体材料制备与器件研制

297

高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池

ZL.202010805925.9

孟磊

半导体材料制备与器件研制

298

一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法

ZL.202010860334.1

刘孔

半导体材料制备与器件研制

299

一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法

ZL.202110304075.9

冯梦阳

半导体材料制备与器件研制

300

InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法

ZL.201310424535.7

吕倩倩

半导体材料制备与器件研制

301

氧化物膜的制备方法

ZL.201410045815.1

王晓峰

半导体材料制备与器件研制

302

提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件

ZL.201410092505.5

姬小利

半导体材料制备与器件研制

303

一种氧化镓薄膜的制备方法

ZL.201511021600.7

王晓峰

半导体材料制备与器件研制

304

可调谐激光器及其制备方法

ZL.201710795032.9

周代兵

半导体材料制备与器件研制

305

格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法

ZL.201710914652.X

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

306

兰姆波谐振器及其制备方法

ZL.201710893348.1

艾玉杰

半导体材料制备与器件研制

307

半导体光电器件衬底减薄方法

ZL.201910057252.0

李伟

半导体材料制备与器件研制

308

红外探测器光陷阱结构的制备方法

ZL.201711153124.3

郭春妍

半导体材料制备与器件研制

309

利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法

ZL.202110388246.0

陈伟强

半导体材料制备与器件研制

310

一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法

ZL.201410153249.6

谢海忠

半导体材料制备与器件研制

311

硅基IV族合金条及其制备方法

ZL.202010148068.X

王楠

半导体材料制备与器件研制

312

基于光子引线的光子晶体光纤及其制备方法

ZL.202110299896.8

翟鲲鹏

半导体材料制备与器件研制

313

一种红外探测器及其制备方法

ZL.202110764262.5

郝宏玥

半导体材料制备与器件研制

314

一种氮化镓系发光器件

ZL.201310651954.4

姬小利

半导体材料制备与器件研制

315

光器件宽带频率响应值的测量方法及装置

ZL.201710255136.0

文俊

半导体材料制备与器件研制

316

电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法

ZL.201810600079.X

李亚节

半导体材料制备与器件研制

317

中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法

ZL.201810842211.8

张一

半导体材料制备与器件研制

318

基于模式滤波器的硅基磁光隔离器及制备方法

ZL.201910360248.1

李明轩

半导体材料制备与器件研制

319

基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极及制备方法

ZL.201410583507.4

李钊

半导体材料制备与器件研制

320

柔性发光器件阵列及其制作方法

ZL.201510016315.X

郭金霞

半导体材料制备与器件研制

321

制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法

ZL.201510329218.6

梁平

半导体材料制备与器件研制

322

AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法

ZL.201510386760.5

吕倩倩

半导体材料制备与器件研制

323

介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法

ZL.201911003590.2

孟军华

半导体材料制备与器件研制

324

硒化亚铜薄膜的制备方法和表征方法

ZL.202110519862.5

张明亮

半导体材料制备与器件研制

325

阵列式油包液滴结构的制备方法

ZL.201210551728.4

孙英男

半导体材料制备与器件研制

326

化学气相沉积法制备的多层石墨烯层数的确定方法

ZL.201910083227.X

刘雪璐

半导体材料制备与器件研制

327

一种新型蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层

ZL.201911402230.X

刘双韬

半导体材料制备与器件研制

328

单片光子集成器件整片制作结构

ZL.201911422971.4

黄永光

半导体材料制备与器件研制

329

在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法

ZL.201410335136.8

裴为华

半导体材料制备与器件研制

330

立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法

ZL.201510763100.4

潘东

半导体材料制备与器件研制

331

一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法

ZL.201811360938.9

赵俊元

半导体材料制备与器件研制

332

一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法

ZL.201511025986.9

王晓峰

半导体材料制备与器件研制

333

视觉感知和存储器件及其制备方法和应用

ZL.201711189505.7

沈国震

半导体材料制备与器件研制

334

准一维硫化锡纳米线的宽波段偏振光探测器及其制备方法

ZL.201910495256.7

杨淮

半导体材料制备与器件研制

335

自组织单量子点的定位方法及装置

ZL.201310056260.6

尚向军

半导体材料制备与器件研制

336

Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜

ZL.201510504913.1

刘波亭

半导体材料制备与器件研制

337

体声波谐振器及其底电极的制备方法

ZL.201710530035.X

艾玉杰

半导体材料制备与器件研制

338

单细胞RT?PCR芯片及其制备方法

ZL.201710828204.8

王琛瑜

半导体材料制备与器件研制

339

一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器及其制备方法

ZL.202110688710.8

侯玉菲

半导体材料制备与器件研制

340

制备硅基砷化镓材料的方法

ZL.201210032751.2

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

341

微球分离筛选芯片及其制备方法

ZL.201210380561.X

魏清泉

半导体材料制备与器件研制

342

基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件

ZL.201310060711.3

李梦珂

半导体材料制备与器件研制

343

具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法

ZL.201410785415.4

张烁

半导体材料制备与器件研制

344

硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法

ZL.201410785433.2

杨涛

半导体材料制备与器件研制

345

基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法

ZL.201910072641.0

郁万成

半导体材料制备与器件研制

346

基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管及制备方法

ZL.202011479891.5

杨冲

半导体材料制备与器件研制

347

侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法

ZL.201710913890.9

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

348

电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法

ZL.200910078863.X

梁松

半导体材料制备与器件研制

349

AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法

ZL.201510967933.2

赵德刚

半导体材料制备与器件研制

350

柔性发光器件及其制备方法、发光装置

ZL.201610467039.3

綦成林

半导体材料制备与器件研制

351

基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法

ZL.201811012428.2

王登贵

半导体材料制备与器件研制

352

一种波导结构的神经突触及其制备方法

ZL.201911424036.1

黄北举

半导体材料制备与器件研制

353

一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法

ZL.202010281514.4

张一

半导体材料制备与器件研制

354

一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

ZL.201010235870.9

杨晋玲

半导体材料制备与器件研制

355

一种GaN基异质结二极管及其制备方法

ZL.201711346622.X

梁亚楠

半导体材料制备与器件研制

356

一种高速高质量单晶金刚石的生长方法

ZL.201810377077.9

龚猛

半导体材料制备与器件研制

357

半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器

ZL.201810778850.2

井红旗

半导体材料制备与器件研制

358

兰姆波谐振器及其制备方法

ZL.201710893347.7

艾玉杰

半导体材料制备与器件研制

359

利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法

ZL.201810999694.2

程传同

半导体材料制备与器件研制

360

采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法

ZL.201811309945.6

刘兴昉

半导体材料制备与器件研制

361

制备硅基微电极的方法

ZL.201310062478.2

裴为华

半导体材料制备与器件研制

362

具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法

ZL.201310048977.6

王晓亮

半导体材料制备与器件研制

363

V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法

ZL.201910116788.5

杨静

半导体材料制备与器件研制

364

一种热充电型电容器及其制备方法

ZL.202110634522.7

沈国震

半导体材料制备与器件研制

365

一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法

ZL.201410077528.9

周旭亮

半导体材料制备与器件研制

366

光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法

ZL.201811529559.8

杨林

半导体材料制备与器件研制

367

混合集成的光纤传感用光学器件

ZL.202010118352.2

刘海锋

半导体材料制备与器件研制

368

自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法

ZL.202010341299.2

聂碧颖

半导体材料制备与器件研制

369

一种红外焦平面阵列及其制备方法

ZL.202111317545.1

薛春来

半导体材料制备与器件研制

370

透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件

ZL.201811255896.2

刘乃鑫

半导体材料制备与器件研制

371

一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法

ZL.202011316969.1

王晓东

半导体材料制备与器件研制

372

采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法

ZL.201010201505.6

孙莉莉

半导体材料制备与器件研制

373

AWG输出波导与探测器有缝对接的集成器件及制备方法

ZL.201510385905.X

吕倩倩

半导体材料制备与器件研制

374

基于标准COMS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法

ZL.201710981238.0

杨翎

半导体材料制备与器件研制

375

血氧探测器探测单元、探头及其制备方法

ZL.201810007103.9

徐云

半导体材料制备与器件研制

376

一种可调谐单纵模激光器及其制备方法

ZL.202011513855.6

夏施君

半导体材料制备与器件研制

377

微透镜阵列耦合反射层结构制备方法

ZL.202110781608.2

李叔伦

半导体材料制备与器件研制

378

ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法

ZL.201310019627.7

李梦珂

半导体材料制备与器件研制

379

一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件

ZL.201310705313.2

闫方亮

半导体材料制备与器件研制

380

基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法

ZL.201811538968.4

陈光灿

半导体材料制备与器件研制

381

可协变应力AlN结构及其制备方法

ZL.201911126555.X

汪连山

半导体材料制备与器件研制

382

在硅上集成HEMT器件的方法

ZL.201310023631.0

米俊萍

半导体材料制备与器件研制

383

一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法

ZL.201310088301.X

李密锋

半导体材料制备与器件研制

384

全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法

ZL.201910535412.8

赵旭鹏

半导体材料制备与器件研制

385

基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器

ZL.202022545716.3

张子恒

半导体材料制备与器件研制

386

用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法

ZL.201110346268.7

郑海洋

半导体材料制备与器件研制

387

基于双激光光源锁频与拍频测量的光纤光栅信号解调系统

ZL.201710546011.3

黄稳柱

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

388

一种互参考的光纤激光静态应变传感解调系统

ZL.201510542557.2

黄稳柱

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

389

光纤激光器温度和应变同时测量系统

ZL.201710545824.0

黄稳柱

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

390

基于锁频技术和拍频原理的光纤激光静态应变解调系统

ZL.201510542578.4

黄稳柱

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

391

基于参考光纤激光器的高精度静态应变拍频解调系统

ZL.201510542608.1

黄稳柱

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

392

基于相位生成载波技术的混合型光纤传感系统

ZL.201810211989.9

冯圣文

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

393

波导三维模斑转换器

ZL.201510665008.4

叶彤

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

394

带有光子晶体反射面和垂直出射面的FP腔激光器

ZL.200910081992.4

郑婉华

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

395

推挽式光纤检波器

ZL.201110194952.8

张文涛

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

396

一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极

ZL.201110384428.7

郑婉华

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

397

基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器

ZL.201210010933.X

陈弘达

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

398

基于相移光纤光栅的光纤传感系统

ZL.201210303217.0

徐团伟

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

399

基于光梳的偏振复用信道化接收机

ZL.201210333034.3

王辉

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

400

多端口读写的片内存储器

ZL.201310140319.X

龙希田

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

401

基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器

ZL.201310095986.0

渠红伟

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

402

电力绝缘设备性能测量及电流传感器固有相移测量方法

ZL.201310181107.6

张放

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

403

一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器

ZL.201310529391.1

李明

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

404

抑制GaAs基激光器高阶模的方法

ZL.201410564609.1

李翔

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

405

一种晶体管激光器及其制作方法

ZL.201410764445.7

梁松

半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件

406

基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片

ZL.201410809706.2

张莉萌

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