2023年有效专利

联系人:曹永胜、卢鹏志
联系电话:010-82304880/4204
2023年有效专利列表 |
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序号 |
专利名称 |
专利号 |
第一发明人 |
领域 |
1 |
一种硅基电吸收调制器及其制备方法 |
ZL.201810661477.2 |
刘智 |
半导体材料制备与器件研制 |
2 |
采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 |
ZL.201010143078.0 |
王晓峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
3 |
采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 |
ZL.201010141024.0 |
王晓峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
4 |
距离选通空间能量包络多脉冲延时积分整形方法 |
ZL.201410104280.0 |
王新伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
5 |
利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法 |
ZL.202011533232.5 |
高洁 |
半导体材料制备与器件研制 |
6 |
一种双通道宽光谱探测器及其制备方法 |
ZL.201610518156.8 |
韩玺 |
半导体材料制备与器件研制 |
7 |
一种硅基可调偏振旋转器件 |
ZL.201510716751.8 |
郭德汾 |
半导体材料制备与器件研制 |
8 |
一种基于电磁感应的加热装置 |
ZL.201710738799.8 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
9 |
基于SiN微盘夹心层结构的单光子源的制备方法及器件 |
ZL.202010706664.5 |
林必波 |
半导体材料制备与器件研制 |
10 |
采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法 |
ZL.201110093370.0 |
王晓峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
11 |
一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具 |
ZL.201210211614.5 |
梁平 |
半导体材料制备与器件研制 |
12 |
在Si基上制备InP基HEMT的方法 |
ZL.201310061105.3 |
李士颜 |
半导体材料制备与器件研制 |
13 |
一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及制备方法 |
ZL.201910292848.9 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
14 |
抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法 |
ZL.202010234397.6 |
陈平 |
半导体材料制备与器件研制 |
15 |
基于角膜接触镜的光学眼压检测设备及制备、使用方法 |
ZL.201910145025.3 |
裴为华 |
半导体材料制备与器件研制 |
16 |
半导体激光合束装置 |
ZL.201910145021.5 |
廖文渊 |
半导体材料制备与器件研制 |
17 |
具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件 |
ZL.202010583152.4 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
18 |
集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法 |
ZL.201910526911.0 |
郑军 |
半导体材料制备与器件研制 |
19 |
一种宽禁带功率半导体器件及制备方法 |
ZL.202011264915.5 |
申占伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
20 |
在半导体ZnO上外延制备HfO2基铁电薄膜的方法及其系统 |
ZL.202110252819.7 |
程勇 |
半导体材料制备与器件研制 |
21 |
微纳射频器件及其制备方法 |
ZL.202110353170.8 |
陈泽基 |
半导体材料制备与器件研制 |
22 |
一种量子级联激光器芯片及其制备方法 |
ZL.202110344373.0 |
杨科 |
半导体材料制备与器件研制 |
23 |
集成硅基布拉格反射器的合分波器件及制备方法 |
ZL.202110675194.5 |
陈寅芳 |
半导体材料制备与器件研制 |
24 |
单行载流子探测器及其制备方法 |
ZL.202110754203.X |
邵翰骁 |
半导体材料制备与器件研制 |
25 |
一种制备半导体固态白光光源的方法 |
ZL.200810226287.4 |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
26 |
高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 |
ZL.201310176608.5 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
27 |
密封传动装置 |
ZL.201410018204.8 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
28 |
基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 |
ZL.201410112734.9 |
康贺 |
半导体材料制备与器件研制 |
29 |
低电阻率P型氮化镓材料及其制备方法 |
ZL.201510996216.2 |
杨静 |
半导体材料制备与器件研制 |
30 |
金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器 |
ZL.201610797852.7 |
孙莉莉 |
半导体材料制备与器件研制 |
31 |
基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机及制备方法、集成结构 |
ZL.201710164775.6 |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
32 |
GaN基激光器及其制备方法 |
ZL.201710559781.1 |
赵德刚 |
半导体材料制备与器件研制 |
33 |
含内建电场的自旋阀和包含所述自旋阀的自旋电子器件 |
ZL.201911124047.8 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
34 |
侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法 |
ZL.202011566704.7 |
董慧 |
半导体材料制备与器件研制 |
35 |
柔性微型电容器及其制备方法 |
ZL.202110487786.4 |
沈国震 |
半导体材料制备与器件研制 |
36 |
波导耦合的雪崩光电探测器及其制备方法 |
ZL.202111017878.2 |
庞雅青 |
半导体材料制备与器件研制 |
37 |
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 |
ZL.200610003072.7 |
杨少延 |
半导体材料制备与器件研制 |
38 |
用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置 |
ZL.201010033962.9 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
39 |
选区外延单片集成的波长转换器件 |
ZL.201310127562.8 |
牛斌 |
半导体材料制备与器件研制 |
40 |
采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 |
ZL.201410191727.2 |
黄北举 |
半导体材料制备与器件研制 |
41 |
阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极 |
ZL.201510094612.6 |
陈平 |
半导体材料制备与器件研制 |
42 |
宽光谱晶闸管激光器的制备方法 |
ZL.201710062988.8 |
王嘉琪 |
半导体材料制备与器件研制 |
43 |
在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法 |
ZL.201811104242.X |
程传同 |
半导体材料制备与器件研制 |
44 |
声学滤波器与HEMT异构集成的结构及其制备方法 |
ZL.201811296447.2 |
张韵 |
半导体材料制备与器件研制 |
45 |
混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法 |
ZL.202010369829.4 |
冯佐 |
半导体材料制备与器件研制 |
46 |
一种波导耦合的光电探测器及其制备方法 |
ZL.202010846271.4 |
刘智 |
半导体材料制备与器件研制 |
47 |
一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元 |
ZL.201910971139.3 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
48 |
在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 |
ZL.201110100538.6 |
汪明 |
半导体材料制备与器件研制 |
49 |
HTCVD法碳化硅晶体生长装置 |
ZL.201110264570.8 |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
50 |
大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 |
ZL.201110283050.1 |
张雨溦 |
半导体材料制备与器件研制 |
51 |
一种具有垂直磁各向异性的铁磁颗粒膜的制备方法 |
ZL.201510346075.X |
鲁军 |
半导体材料制备与器件研制 |
52 |
一种Si基复合负极材料及其锂电池的制备方法 |
ZL.201510896670.0 |
张均营 |
半导体材料制备与器件研制 |
53 |
金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 |
ZL.201610320424.5 |
刘双韬 |
半导体材料制备与器件研制 |
54 |
AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法 |
ZL.201710671295.9 |
汪连山 |
半导体材料制备与器件研制 |
55 |
碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法 |
ZL.201810164916.9 |
申占伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
56 |
单模砷化镓基量子点激光器的制备方法 |
ZL.201910896555.1 |
杨涛 |
半导体材料制备与器件研制 |
57 |
面内不对称的磁存储单元和制备方法 |
ZL.201910971140.6 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
58 |
基于硅基PIN探测器的n-p-i-n光电三极管及其制备方法 |
ZL.202110278241.2 |
王宁 |
半导体材料制备与器件研制 |
59 |
单光子雪崩光电探测器及其制备方法 |
ZL.202111017952.0 |
庞雅青 |
半导体材料制备与器件研制 |
60 |
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 |
ZL.201110206340.6 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
61 |
基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 |
ZL.201110343625.4 |
毛旭 |
半导体材料制备与器件研制 |
62 |
可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 |
ZL.201310447427.1 |
闫方亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
63 |
同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 |
ZL.201410563124.0 |
李翔 |
半导体材料制备与器件研制 |
64 |
碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构 |
ZL.201510094613.0 |
陈平 |
半导体材料制备与器件研制 |
65 |
低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法 |
ZL.201810534896.X |
孟磊 |
半导体材料制备与器件研制 |
66 |
用于半导体光电子器件测试和透镜耦合的夹具 |
ZL.201811309972.3 |
王建坤 |
半导体材料制备与器件研制 |
67 |
一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法 |
ZL.202010240167.0 |
马骁宇 |
半导体材料制备与器件研制 |
68 |
隔热导电偏压衬底托 |
ZL.202010735304.8 |
陈亚男 |
半导体材料制备与器件研制 |
69 |
在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 |
ZL.201310023622.1 |
李士颜 |
半导体材料制备与器件研制 |
70 |
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 |
ZL.201410337785.1 |
赵丹梅 |
半导体材料制备与器件研制 |
71 |
直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件 |
ZL.201810203008.6 |
骆军委 |
半导体材料制备与器件研制 |
72 |
一种铝掺杂氧化锌薄膜表面改性材料、制备方法及电池 |
ZL.201910116789.X |
孟磊 |
半导体材料制备与器件研制 |
73 |
锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法 |
ZL.202010256997.2 |
赵越 |
半导体材料制备与器件研制 |
74 |
磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用 |
ZL.202010309260.2 |
魏钟鸣 |
半导体材料制备与器件研制 |
75 |
大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 |
ZL.201010235859.2 |
杨晋玲 |
半导体材料制备与器件研制 |
76 |
增强聚对二甲苯薄膜与金属层粘附性的方法 |
ZL.201410541559.5 |
裴为华 |
半导体材料制备与器件研制 |
77 |
一种结合单量子点定位功能的激光直写光刻系统及其方法 |
ZL.201510067561.8 |
许兴胜 |
半导体材料制备与器件研制 |
78 |
一种Cu@SiO2核壳结构的制备方法 |
ZL.201510896594.3 |
张均营 |
半导体材料制备与器件研制 |
79 |
确定含有单层石墨烯区的石墨烯样品堆垛次序的方法 |
ZL.201710546012.8 |
谭平恒 |
半导体材料制备与器件研制 |
80 |
基于SiGe材料的电调谐有源波导结构以及应用其的MZI结构 |
ZL.201810318367.6 |
匡迎新 |
半导体材料制备与器件研制 |
81 |
一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法 |
ZL.201811108728.0 |
孟磊 |
半导体材料制备与器件研制 |
82 |
自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法 |
ZL.201910102886.3 |
耿照新 |
半导体材料制备与器件研制 |
83 |
硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法 |
ZL.201910519509.X |
杨文宇 |
半导体材料制备与器件研制 |
84 |
用于等离子体化学气相的样品支架 |
ZL.202110072158.X |
周广迪 |
半导体材料制备与器件研制 |
85 |
单片集成边发射激光器及制备方法 |
ZL.202110639802.7 |
刘安金 |
半导体材料制备与器件研制 |
86 |
制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 |
ZL.201210436128.3 |
程滟 |
半导体材料制备与器件研制 |
87 |
硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 |
ZL.201310176286.4 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
88 |
一种雪崩光电二极管及其制作方法 |
ZL.201410818494.4 |
向伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
89 |
硅衬底及其制备方法 |
ZL.201510266643.5 |
袁国栋 |
半导体材料制备与器件研制 |
90 |
铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法 |
ZL.201610892160.0 |
孙姚耀 |
半导体材料制备与器件研制 |
91 |
一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法 |
ZL.201810254393.7 |
蒋志 |
半导体材料制备与器件研制 |
92 |
制备氮化镓基纳米环结构的方法 |
ZL.201810498089.7 |
刘喆 |
半导体材料制备与器件研制 |
93 |
窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法 |
ZL.202010139459.5 |
孙甲政 |
半导体材料制备与器件研制 |
94 |
一种宽度渐变的硅基探测器及其制备方法 |
ZL.202110764252.1 |
刘智 |
半导体材料制备与器件研制 |
95 |
百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法 |
ZL.200810225785.7 |
陈熙 |
半导体材料制备与器件研制 |
96 |
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 |
ZL.201110206038.0 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
97 |
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 |
ZL.201210124792.4 |
李盼盼 |
半导体材料制备与器件研制 |
98 |
基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 |
ZL.201310503797.2 |
喻颖 |
半导体材料制备与器件研制 |
99 |
提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 |
ZL.201310585868.8 |
王维颖 |
半导体材料制备与器件研制 |
100 |
倒装阳极的纳米真空三极管结构及制备方法 |
ZL.201510520866.X |
梁锋 |
半导体材料制备与器件研制 |
101 |
GaN基多孔DBR的制备方法 |
ZL.201710222145.X |
杨超 |
半导体材料制备与器件研制 |
102 |
基于CMOS后工艺实现的三维光电集成滤波器及其制备方法 |
ZL.201810062157.5 |
黄北举 |
半导体材料制备与器件研制 |
103 |
基于CMOS后工艺实现的三维光电集成光栅耦合器及制备方法 |
ZL.201810062158.X |
黄北举 |
半导体材料制备与器件研制 |
104 |
三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法 |
ZL.201910570912.5 |
张晓迪 |
半导体材料制备与器件研制 |
105 |
基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法 |
ZL.201910915598.X |
黄皖 |
半导体材料制备与器件研制 |
106 |
基于加速度计和陀螺仪的人体呼吸情况采集贴及制备方法 |
ZL.202010087625.1 |
王思凯 |
半导体材料制备与器件研制 |
107 |
基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
ZL.202110186788.X |
邵泓焰 |
半导体材料制备与器件研制 |
108 |
像素器件 |
ZL.202110323016.6 |
顾超 |
半导体材料制备与器件研制 |
109 |
自支撑氮化镓衬底的制作方法 |
ZL.201110134149.5 |
孙波 |
半导体材料制备与器件研制 |
110 |
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 |
ZL.201110206037.6 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
111 |
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 |
ZL.201210467084.0 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
112 |
基于光子晶体的可集成量子行走器件 |
ZL.201310154044.5 |
郑婉华 |
半导体材料制备与器件研制 |
113 |
THz天线阵列的制作方法 |
ZL.201410412325.0 |
梁松 |
半导体材料制备与器件研制 |
114 |
无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法 |
ZL.201410758310.X |
詹腾 |
半导体材料制备与器件研制 |
115 |
具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法 |
ZL.201611180940.9 |
宋国峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
116 |
用于薄膜材料生长的感应加热装置 |
ZL.201710728514.2 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
117 |
基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 |
ZL.201811000562.0 |
谢圣文 |
半导体材料制备与器件研制 |
118 |
柔性VCSEL阵列器件及其制备方法 |
ZL.201811529496.6 |
李川川 |
半导体材料制备与器件研制 |
119 |
硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法 |
ZL.201910776612.2 |
潘东 |
半导体材料制备与器件研制 |
120 |
三维空间束缚单杂质原子晶体管及其制备方法 |
ZL.201811417296.1 |
窦亚梅 |
半导体材料制备与器件研制 |
121 |
大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法 |
ZL.202010116917.3 |
李亚节 |
半导体材料制备与器件研制 |
122 |
场效应晶体管器件 |
ZL.202010144306.X |
马培培 |
半导体材料制备与器件研制 |
123 |
量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法 |
ZL.202010557214.4 |
何小武 |
半导体材料制备与器件研制 |
124 |
一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法 |
ZL.202010774987.8 |
贾晓皓 |
半导体材料制备与器件研制 |
125 |
一种面发射激光器及其制备方法 |
ZL.202011275473.4 |
刘安金 |
半导体材料制备与器件研制 |
126 |
一种用于疾病诊断的光学生物芯片与制备方法 |
ZL.200610165543.4 |
宋国峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
127 |
纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法 |
ZL.201310062552.0 |
裴为华 |
半导体材料制备与器件研制 |
128 |
应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构 |
ZL.201410734012.7 |
司朝伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
129 |
Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法 |
ZL.201610552010.5 |
鲁军 |
半导体材料制备与器件研制 |
130 |
电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件 |
ZL.201611213900.X |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
131 |
一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法 |
ZL.201611241390.7 |
许兴胜 |
半导体材料制备与器件研制 |
132 |
一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 |
ZL.201710029889.X |
成步文 |
半导体材料制备与器件研制 |
133 |
多孔Ⅲ族氮化物及其制备方法 |
ZL.201811182263.3 |
赵丽霞 |
半导体材料制备与器件研制 |
134 |
背入射式量子阱红外探测器单元器件封装装置及方法 |
ZL.201811143763.6 |
苏艳梅 |
半导体材料制备与器件研制 |
135 |
MOS器件的制备方法及MOS器件 |
ZL.202011029074.X |
申占伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
136 |
基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
ZL.202011068518.0 |
邵泓焰 |
半导体材料制备与器件研制 |
137 |
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 |
ZL.201210348006.9 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
138 |
InGaN量子点的外延结构及生长方法 |
ZL.201410784663.7 |
刘炜 |
半导体材料制备与器件研制 |
139 |
基于开口孔共振耦合效应的等离激元全光逻辑器件 |
ZL.201510236362.5 |
王宇飞 |
半导体材料制备与器件研制 |
140 |
一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法 |
ZL.201810762721.4 |
申占伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
141 |
温度控制芯片、其制备方法及包含其的温度控制芯片系统 |
ZL.201810952470.6 |
节俊尧 |
半导体材料制备与器件研制 |
142 |
激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件 |
ZL.201910496207.5 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
143 |
一种用于确定AMZI偏振无关温控条件的装置及方法 |
ZL.201910693026.1 |
李骁 |
半导体材料制备与器件研制 |
144 |
非对称三波导结构的偏振分束器及其制备方法 |
ZL.201911218413.6 |
牛超群 |
半导体材料制备与器件研制 |
145 |
含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法 |
ZL.202010337090.9 |
侯玉菲 |
半导体材料制备与器件研制 |
146 |
基于摩尔曲线的分形集总电容器及其制备方法 |
ZL.202110278227.2 |
张高露 |
半导体材料制备与器件研制 |
147 |
一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 |
ZL.201310315026.0 |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
148 |
小型化、集成化的硅基场发射-接收器件 |
ZL.201510094671.3 |
陈平 |
半导体材料制备与器件研制 |
149 |
一种微流控芯片及其制备方法 |
ZL.201910121016.0 |
刘晓晨 |
半导体材料制备与器件研制 |
150 |
单片集成双波长半导体激光器及其制备方法 |
ZL.201811485068.8 |
杨成奥 |
半导体材料制备与器件研制 |
151 |
氮化镓基激光器及其制备方法 |
ZL.201910552033.X |
梁锋 |
半导体材料制备与器件研制 |
152 |
应变锗沟道晶体管及其制备方法 |
ZL.202011584695.4 |
何力 |
半导体材料制备与器件研制 |
153 |
具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 |
ZL.201210033517.1 |
赵建华 |
半导体材料制备与器件研制 |
154 |
半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法 |
ZL.201310296013.3 |
赵丽霞 |
半导体材料制备与器件研制 |
155 |
带间级联激光器及其制备方法 |
ZL.201310553805.4 |
邢军亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
156 |
用于碳化硅生长的高温装置及方法 |
ZL.201510008972.X |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
157 |
一种反向PN型掺杂结构及制备方法 |
ZL.201710063245.2 |
刘亚东 |
半导体材料制备与器件研制 |
158 |
一种空间光束相位调控器件 |
ZL.201710649376.9 |
韦欣 |
半导体材料制备与器件研制 |
159 |
一种可延展柔性的光电针灸器件及其制备方法 |
ZL.201810339609.X |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
160 |
可重构集成微波光子射频前端器件 |
ZL.201710385328.3 |
石暖暖 |
半导体材料制备与器件研制 |
161 |
AlN薄膜的制备方法 |
ZL.201810810552.7 |
冉军学 |
半导体材料制备与器件研制 |
162 |
一种磷化铟基光学混频器及其制备方法 |
ZL.201910315599.0 |
陆子晴 |
半导体材料制备与器件研制 |
163 |
太赫兹半导体激光器、其制备方法及应用 |
ZL.201910908200.X |
赵方圆 |
半导体材料制备与器件研制 |
164 |
常关型场效应晶体管及其制备方法 |
ZL.202010085145.1 |
郑军 |
半导体材料制备与器件研制 |
165 |
等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法 |
ZL.202010719942.0 |
赵丽霞 |
半导体材料制备与器件研制 |
166 |
空间光调制器及其制备方法 |
ZL.202011499623.X |
田立飞 |
半导体材料制备与器件研制 |
167 |
条纹相机反射式离轴光学耦合装置 |
ZL.201110133353.5 |
金鹏 |
半导体材料制备与器件研制 |
168 |
锗基赝砷化镓衬底的制备方法 |
ZL.201210057303.8 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
169 |
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 |
ZL.201310069787.2 |
米俊萍 |
半导体材料制备与器件研制 |
170 |
一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 |
ZL.201310315012.9 |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
171 |
基于可见光通信的单片机音频存储与广播系统及方法 |
ZL.201410244847.4 |
陈雄斌 |
半导体材料制备与器件研制 |
172 |
基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法 |
ZL.201510522409.4 |
刘炜 |
半导体材料制备与器件研制 |
173 |
片上集成半导体激光器结构及其制备方法 |
ZL.201910061317.9 |
杨成奥 |
半导体材料制备与器件研制 |
174 |
调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法 |
ZL.201811467732.6 |
王军喜 |
半导体材料制备与器件研制 |
175 |
无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法 |
ZL.201910179100.8 |
张明亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
176 |
一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法 |
ZL.201910187930.5 |
于天 |
半导体材料制备与器件研制 |
177 |
衬底托 |
ZL.202020868043.2 |
金鹏 |
半导体材料制备与器件研制 |
178 |
一种制备微小化固态白光光源的方法 |
ZL.200810226286.X |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
179 |
一种硅基光电器件集成方法 |
ZL.200910091402.6 |
李运涛 |
半导体材料制备与器件研制 |
180 |
一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 |
ZL.201410028793.8 |
张旭 |
半导体材料制备与器件研制 |
181 |
源输送混合比可调气路装置 |
ZL.201410092524.8 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
182 |
InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品 |
ZL.201610361608.6 |
宋国峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
183 |
基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 |
ZL.201710220057.6 |
杨超 |
半导体材料制备与器件研制 |
184 |
氮化物纳米带的制备方法 |
ZL.201710063306.5 |
袁国栋 |
半导体材料制备与器件研制 |
185 |
用于微波等离子体化学气相沉积设备的组合式衬底基座 |
ZL.201610320201.9 |
付方彬 |
半导体材料制备与器件研制 |
186 |
金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体及其制备方法 |
ZL.201810722928.9 |
赵丽霞 |
半导体材料制备与器件研制 |
187 |
电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法 |
ZL.201910102887.8 |
李亚节 |
半导体材料制备与器件研制 |
188 |
一种数字PCR芯片及其制备方法 |
ZL.201910534596.6 |
刘文文 |
半导体材料制备与器件研制 |
189 |
一种光子芯片及其制备方法 |
ZL.201910648713.1 |
杨林 |
半导体材料制备与器件研制 |
190 |
一种半导体/超导体异质结纳米线网络的制备方法 |
ZL.202010583153.9 |
潘东 |
半导体材料制备与器件研制 |
191 |
用于薄片材料解离和转移的装置 |
ZL.201721906477.1 |
刘祎慧 |
半导体材料制备与器件研制 |
192 |
可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法 |
ZL.201210374777.5 |
梁松 |
半导体材料制备与器件研制 |
193 |
Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池 |
ZL.201710248369.8 |
黄鹏 |
半导体材料制备与器件研制 |
194 |
开放式单细胞研究用芯片及其制备方法 |
ZL.201710951273.8 |
王琛瑜 |
半导体材料制备与器件研制 |
195 |
半导体器件及其制备方法 |
ZL.201711217590.3 |
张韵 |
半导体材料制备与器件研制 |
196 |
基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法 |
ZL.201910115264.4 |
张冶金 |
半导体材料制备与器件研制 |
197 |
基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法 |
ZL.201910454743.9 |
姬小利 |
半导体材料制备与器件研制 |
198 |
光器件宽带频率响应测量方法及装置 |
ZL.201910795108.7 |
文俊 |
半导体材料制备与器件研制 |
199 |
微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法 |
ZL.202110487994.4 |
朱怡璇 |
半导体材料制备与器件研制 |
200 |
石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法 |
ZL.202010881738.9 |
任慧雪 |
半导体材料制备与器件研制 |
201 |
气相沉积设备的进气喷淋头 |
ZL.201920622058.8 |
魏鸿源 |
半导体材料制备与器件研制 |
202 |
一种柔性锂离子电池及网络状钛酸锂电极结构的制备方法 |
ZL.201310722472.3 |
沈国震 |
半导体材料制备与器件研制 |
203 |
一种双面散热量子级联激光器器件结构 |
ZL.201410687356.7 |
闫方亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
204 |
用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘 |
ZL.201510002676.9 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
205 |
一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法 |
ZL.201510876293.4 |
刘胜北 |
半导体材料制备与器件研制 |
206 |
半导体激光器及不同折射率腔面膜的制备方法 |
ZL.201811514009.9 |
周代兵 |
半导体材料制备与器件研制 |
207 |
电池负极材料及其制备方法、锂电池 |
ZL.201910365768.1 |
黄鹏 |
半导体材料制备与器件研制 |
208 |
具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件 |
ZL.202010600335.2 |
郭亚楠 |
半导体材料制备与器件研制 |
209 |
分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法 |
ZL.202011533170.8 |
李利安 |
半导体材料制备与器件研制 |
210 |
连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 |
ZL.201110267894.7 |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
211 |
N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法 |
ZL.201310084016.0 |
楚新波 |
半导体材料制备与器件研制 |
212 |
硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 |
ZL.201310306847.8 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
213 |
硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 |
ZL.201310306968.2 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
214 |
一种应用于光电子器件封装的光耦合设备 |
ZL.201410344680.9 |
邓晔 |
半导体材料制备与器件研制 |
215 |
低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法 |
ZL.201410426219.8 |
杨静 |
半导体材料制备与器件研制 |
216 |
环形检测电极面内伸缩谐振器设计及其制备方法 |
ZL.201510810985.9 |
张萌 |
半导体材料制备与器件研制 |
217 |
直接调制激光器微带制备方法及由此得到的微带和激光器 |
ZL.201610020563.6 |
肖志雄 |
半导体材料制备与器件研制 |
218 |
应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 |
ZL.201610183087.X |
杨静 |
半导体材料制备与器件研制 |
219 |
硅基横向注入激光器及其制备方法 |
ZL.201610836551.0 |
刘智 |
半导体材料制备与器件研制 |
220 |
具有n-p-n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
ZL.201811432850.3 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
221 |
在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法 |
ZL.201910192567.6 |
张韵 |
半导体材料制备与器件研制 |
222 |
一种AlGaN基二极管及其制备方法 |
ZL.202010145389.4 |
张韵 |
半导体材料制备与器件研制 |
223 |
量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法 |
ZL.202010252674.6 |
李叔伦 |
半导体材料制备与器件研制 |
224 |
相干探测器芯片及其制备方法 |
ZL.202011199919.X |
叶焓 |
半导体材料制备与器件研制 |
225 |
自旋轨道矩器件及其操作方法、装置 |
ZL.202110477473.0 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
226 |
光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法 |
ZL.202110596902.6 |
杨正霞 |
半导体材料制备与器件研制 |
227 |
一种高速高增益的雪崩光电探测器及制备方法 |
ZL.202110810709.8 |
杨晓红 |
半导体材料制备与器件研制 |
228 |
热蒸发源炉 |
ZL.202020869458.1 |
金鹏 |
半导体材料制备与器件研制 |
229 |
高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 |
ZL.200810101761.0 |
杨涛 |
半导体材料制备与器件研制 |
230 |
碳化硅外延层区域掺杂的方法 |
ZL.201510490656.0 |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
231 |
可降低电学串扰的单光子探测器阵列及制备方法 |
ZL.201910197797.1 |
刘凯宝 |
半导体材料制备与器件研制 |
232 |
六方氮化硼紫外光探测器及制备方法 |
ZL.202010063708.7 |
张兴旺 |
半导体材料制备与器件研制 |
233 |
三端人工光学突触及其制备方法 |
ZL.202011643161.4 |
程传同 |
半导体材料制备与器件研制 |
234 |
InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 |
ZL.201410153659.0 |
蒋洞微 |
半导体材料制备与器件研制 |
235 |
一种超声波触觉反馈系统及其制造方法 |
ZL.201510266849.8 |
王小青 |
半导体材料制备与器件研制 |
236 |
980nm半导体激光器结构及制备方法 |
ZL.201610370735.2 |
郭文涛 |
半导体材料制备与器件研制 |
237 |
单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法 |
ZL.201610584646.8 |
马奔 |
半导体材料制备与器件研制 |
238 |
ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法 |
ZL.201811065138.4 |
刘志强 |
半导体材料制备与器件研制 |
239 |
谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备方法 |
ZL.201910465860.5 |
何玉铭 |
半导体材料制备与器件研制 |
240 |
pin型GaN雪崩器件p层载流子浓度测量方法 |
ZL.202010394919.9 |
曹子坤 |
半导体材料制备与器件研制 |
241 |
光刻胶辅助局域加热的磁存储单元、制备方法和逻辑器件 |
ZL.201910971536.0 |
王开友 |
半导体材料制备与器件研制 |
242 |
红外探测器及其制备方法 |
ZL.202111239358.6 |
周文广 |
半导体材料制备与器件研制 |
243 |
用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 |
ZL.201010033965.2 |
殷海波 |
半导体材料制备与器件研制 |
244 |
一种化学气相沉积装置 |
ZL.201010162506.4 |
段瑞飞 |
半导体材料制备与器件研制 |
245 |
氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 |
ZL.201110177081.9 |
郑怀文 |
半导体材料制备与器件研制 |
246 |
双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 |
ZL.201310028764.7 |
姚丹阳 |
半导体材料制备与器件研制 |
247 |
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 |
ZL.201310068781.3 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
248 |
利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统 |
ZL.201310594552.5 |
査国伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
249 |
行星式旋转托盘装置 |
ZL.201410054225.5 |
刘立莉 |
半导体材料制备与器件研制 |
250 |
一种绿光激光器外延片及其制备方法 |
ZL.201511001357.2 |
杨静 |
半导体材料制备与器件研制 |
251 |
四波长输出半导体激光器及其制备方法 |
ZL.201610880873.5 |
魏思航 |
半导体材料制备与器件研制 |
252 |
一种单片集成平衡探测器及其制备方法 |
ZL.201611241397.9 |
张莉萌 |
半导体材料制备与器件研制 |
253 |
可延展柔性无机光电子器件及其制备方法 |
ZL.201611182489.4 |
江宇 |
半导体材料制备与器件研制 |
254 |
制备大面积单一取向六方氮化硼二维原子晶体的方法 |
ZL.201711467108.1 |
孟军华 |
半导体材料制备与器件研制 |
255 |
神经光电极及其制备方法 |
ZL.201910132172.7 |
裴为华 |
半导体材料制备与器件研制 |
256 |
MOSFET器件 |
ZL.201910175096.8 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
257 |
一种衍射环结构II类超晶格红外探测器及其制备方法 |
ZL.202011028961.5 |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
258 |
空间光调制器及其制备方法 |
ZL.202111361844.5 |
田立飞 |
半导体材料制备与器件研制 |
259 |
一种智能光探测器及其使用方法和制备方法 |
ZL.202111680317.0 |
程传同 |
半导体材料制备与器件研制 |
260 |
“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 |
ZL.201110027237.5 |
迂修 |
半导体材料制备与器件研制 |
261 |
一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 |
ZL.201310024040.5 |
赵建华 |
半导体材料制备与器件研制 |
262 |
一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 |
ZL.201310068749.5 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
263 |
一种金属纳米圆环的制备方法 |
ZL.201310144380.1 |
孙莉莉 |
半导体材料制备与器件研制 |
264 |
制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法 |
ZL.201310503124.7 |
喻颖 |
半导体材料制备与器件研制 |
265 |
基于光子晶体自准直效应的可集成光量子行走器件 |
ZL.201310750514.4 |
郑婉华 |
半导体材料制备与器件研制 |
266 |
高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 |
ZL.201410412107.7 |
刘炜 |
半导体材料制备与器件研制 |
267 |
半导体激光器及其制备方法 |
ZL.201711346623.4 |
张韵 |
半导体材料制备与器件研制 |
268 |
偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法 |
ZL.201910855262.9 |
陆子晴 |
半导体材料制备与器件研制 |
269 |
片上键合Si/III-V量子点单光子源及其制备方法 |
ZL.201811343981.4 |
许兴胜 |
半导体材料制备与器件研制 |
270 |
p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法 |
ZL.202010262718.3 |
张韵 |
半导体材料制备与器件研制 |
271 |
采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法 |
ZL.201210032754.6 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
272 |
半导体发光器件及其制造方法 |
ZL.201210375368.7 |
郭恩卿 |
半导体材料制备与器件研制 |
273 |
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 |
ZL.201310029832.1 |
邢军亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
274 |
适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法 |
ZL.201610065321.9 |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
275 |
一种缓冲层结构及其制备方法 |
ZL.201911360215.3 |
周广迪 |
半导体材料制备与器件研制 |
276 |
电泵浦量子点单光子源及其制备方法 |
ZL.201811389487.1 |
许兴胜 |
半导体材料制备与器件研制 |
277 |
基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用 |
ZL.202010666456.7 |
赵丽霞 |
半导体材料制备与器件研制 |
278 |
柔性电容器装置及其制备方法 |
ZL.202110487710.1 |
沈国震 |
半导体材料制备与器件研制 |
279 |
在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 |
ZL.201310079069.3 |
査国伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
280 |
一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜的方法 |
ZL.201410552789.1 |
赵建华 |
半导体材料制备与器件研制 |
281 |
硅基电注入激光器及其制备方法 |
ZL.201710255128.6 |
王梦琦 |
半导体材料制备与器件研制 |
282 |
渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 |
ZL.201810959840.9 |
张一 |
半导体材料制备与器件研制 |
283 |
基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法 |
ZL.201910116636.5 |
姜向伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
284 |
光电子集成器件的光互联方法 |
ZL.202110181537.2 |
王欣 |
半导体材料制备与器件研制 |
285 |
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 |
ZL.201110401468.8 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
286 |
制备MSM结构CZT探测器的方法 |
ZL.201310106858.1 |
裴为华 |
半导体材料制备与器件研制 |
287 |
一种线状的具有光探性能的柔性超级电容器及制备方法 |
ZL.201310716914.3 |
沈国震 |
半导体材料制备与器件研制 |
288 |
一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法 |
ZL.201410284235.8 |
李传波 |
半导体材料制备与器件研制 |
289 |
SiC基HEMT器件的制备方法 |
ZL.201510416658.5 |
申占伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
290 |
一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法 |
ZL.201610318436.4 |
刘波亭 |
半导体材料制备与器件研制 |
291 |
叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法 |
ZL.201611202129.6 |
邓秋芳 |
半导体材料制备与器件研制 |
292 |
激光器的侧边耦合光栅及其制备方法、包含其的激光器 |
ZL.201610251536.X |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
293 |
基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法 |
ZL.201810727123.3 |
蒋志 |
半导体材料制备与器件研制 |
294 |
在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构 |
ZL.201811274583.1 |
刘双韬 |
半导体材料制备与器件研制 |
295 |
圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法 |
ZL.201910219690.2 |
潘东 |
半导体材料制备与器件研制 |
296 |
用于异质外延的石墨烯中间层柔性衬底及其制备方法 |
ZL.202010146464.9 |
霍晓迪 |
半导体材料制备与器件研制 |
297 |
高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池 |
ZL.202010805925.9 |
孟磊 |
半导体材料制备与器件研制 |
298 |
一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法 |
ZL.202010860334.1 |
刘孔 |
半导体材料制备与器件研制 |
299 |
一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法 |
ZL.202110304075.9 |
冯梦阳 |
半导体材料制备与器件研制 |
300 |
InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法 |
ZL.201310424535.7 |
吕倩倩 |
半导体材料制备与器件研制 |
301 |
氧化物膜的制备方法 |
ZL.201410045815.1 |
王晓峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
302 |
提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件 |
ZL.201410092505.5 |
姬小利 |
半导体材料制备与器件研制 |
303 |
一种氧化镓薄膜的制备方法 |
ZL.201511021600.7 |
王晓峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
304 |
可调谐激光器及其制备方法 |
ZL.201710795032.9 |
周代兵 |
半导体材料制备与器件研制 |
305 |
格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法 |
ZL.201710914652.X |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
306 |
兰姆波谐振器及其制备方法 |
ZL.201710893348.1 |
艾玉杰 |
半导体材料制备与器件研制 |
307 |
半导体光电器件衬底减薄方法 |
ZL.201910057252.0 |
李伟 |
半导体材料制备与器件研制 |
308 |
红外探测器光陷阱结构的制备方法 |
ZL.201711153124.3 |
郭春妍 |
半导体材料制备与器件研制 |
309 |
利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法 |
ZL.202110388246.0 |
陈伟强 |
半导体材料制备与器件研制 |
310 |
一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 |
ZL.201410153249.6 |
谢海忠 |
半导体材料制备与器件研制 |
311 |
硅基IV族合金条及其制备方法 |
ZL.202010148068.X |
王楠 |
半导体材料制备与器件研制 |
312 |
基于光子引线的光子晶体光纤及其制备方法 |
ZL.202110299896.8 |
翟鲲鹏 |
半导体材料制备与器件研制 |
313 |
一种红外探测器及其制备方法 |
ZL.202110764262.5 |
郝宏玥 |
半导体材料制备与器件研制 |
314 |
一种氮化镓系发光器件 |
ZL.201310651954.4 |
姬小利 |
半导体材料制备与器件研制 |
315 |
光器件宽带频率响应值的测量方法及装置 |
ZL.201710255136.0 |
文俊 |
半导体材料制备与器件研制 |
316 |
电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 |
ZL.201810600079.X |
李亚节 |
半导体材料制备与器件研制 |
317 |
中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 |
ZL.201810842211.8 |
张一 |
半导体材料制备与器件研制 |
318 |
基于模式滤波器的硅基磁光隔离器及制备方法 |
ZL.201910360248.1 |
李明轩 |
半导体材料制备与器件研制 |
319 |
基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极及制备方法 |
ZL.201410583507.4 |
李钊 |
半导体材料制备与器件研制 |
320 |
柔性发光器件阵列及其制作方法 |
ZL.201510016315.X |
郭金霞 |
半导体材料制备与器件研制 |
321 |
制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法 |
ZL.201510329218.6 |
梁平 |
半导体材料制备与器件研制 |
322 |
AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法 |
ZL.201510386760.5 |
吕倩倩 |
半导体材料制备与器件研制 |
323 |
介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法 |
ZL.201911003590.2 |
孟军华 |
半导体材料制备与器件研制 |
324 |
硒化亚铜薄膜的制备方法和表征方法 |
ZL.202110519862.5 |
张明亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
325 |
阵列式油包液滴结构的制备方法 |
ZL.201210551728.4 |
孙英男 |
半导体材料制备与器件研制 |
326 |
化学气相沉积法制备的多层石墨烯层数的确定方法 |
ZL.201910083227.X |
刘雪璐 |
半导体材料制备与器件研制 |
327 |
一种新型蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层 |
ZL.201911402230.X |
刘双韬 |
半导体材料制备与器件研制 |
328 |
单片光子集成器件整片制作结构 |
ZL.201911422971.4 |
黄永光 |
半导体材料制备与器件研制 |
329 |
在柔性衬底表面制作硬质微针阵列的方法 |
ZL.201410335136.8 |
裴为华 |
半导体材料制备与器件研制 |
330 |
立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 |
ZL.201510763100.4 |
潘东 |
半导体材料制备与器件研制 |
331 |
一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法 |
ZL.201811360938.9 |
赵俊元 |
半导体材料制备与器件研制 |
332 |
一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法 |
ZL.201511025986.9 |
王晓峰 |
半导体材料制备与器件研制 |
333 |
视觉感知和存储器件及其制备方法和应用 |
ZL.201711189505.7 |
沈国震 |
半导体材料制备与器件研制 |
334 |
准一维硫化锡纳米线的宽波段偏振光探测器及其制备方法 |
ZL.201910495256.7 |
杨淮 |
半导体材料制备与器件研制 |
335 |
自组织单量子点的定位方法及装置 |
ZL.201310056260.6 |
尚向军 |
半导体材料制备与器件研制 |
336 |
Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 |
ZL.201510504913.1 |
刘波亭 |
半导体材料制备与器件研制 |
337 |
体声波谐振器及其底电极的制备方法 |
ZL.201710530035.X |
艾玉杰 |
半导体材料制备与器件研制 |
338 |
单细胞RT?PCR芯片及其制备方法 |
ZL.201710828204.8 |
王琛瑜 |
半导体材料制备与器件研制 |
339 |
一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器及其制备方法 |
ZL.202110688710.8 |
侯玉菲 |
半导体材料制备与器件研制 |
340 |
制备硅基砷化镓材料的方法 |
ZL.201210032751.2 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
341 |
微球分离筛选芯片及其制备方法 |
ZL.201210380561.X |
魏清泉 |
半导体材料制备与器件研制 |
342 |
基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 |
ZL.201310060711.3 |
李梦珂 |
半导体材料制备与器件研制 |
343 |
具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 |
ZL.201410785415.4 |
张烁 |
半导体材料制备与器件研制 |
344 |
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 |
ZL.201410785433.2 |
杨涛 |
半导体材料制备与器件研制 |
345 |
基于微波等离子体化学气相沉积的石墨烯制备方法 |
ZL.201910072641.0 |
郁万成 |
半导体材料制备与器件研制 |
346 |
基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管及制备方法 |
ZL.202011479891.5 |
杨冲 |
半导体材料制备与器件研制 |
347 |
侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法 |
ZL.201710913890.9 |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
348 |
电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法 |
ZL.200910078863.X |
梁松 |
半导体材料制备与器件研制 |
349 |
AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 |
ZL.201510967933.2 |
赵德刚 |
半导体材料制备与器件研制 |
350 |
柔性发光器件及其制备方法、发光装置 |
ZL.201610467039.3 |
綦成林 |
半导体材料制备与器件研制 |
351 |
基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法 |
ZL.201811012428.2 |
王登贵 |
半导体材料制备与器件研制 |
352 |
一种波导结构的神经突触及其制备方法 |
ZL.201911424036.1 |
黄北举 |
半导体材料制备与器件研制 |
353 |
一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法 |
ZL.202010281514.4 |
张一 |
半导体材料制备与器件研制 |
354 |
一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 |
ZL.201010235870.9 |
杨晋玲 |
半导体材料制备与器件研制 |
355 |
一种GaN基异质结二极管及其制备方法 |
ZL.201711346622.X |
梁亚楠 |
半导体材料制备与器件研制 |
356 |
一种高速高质量单晶金刚石的生长方法 |
ZL.201810377077.9 |
龚猛 |
半导体材料制备与器件研制 |
357 |
半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器 |
ZL.201810778850.2 |
井红旗 |
半导体材料制备与器件研制 |
358 |
兰姆波谐振器及其制备方法 |
ZL.201710893347.7 |
艾玉杰 |
半导体材料制备与器件研制 |
359 |
利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法 |
ZL.201810999694.2 |
程传同 |
半导体材料制备与器件研制 |
360 |
采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法 |
ZL.201811309945.6 |
刘兴昉 |
半导体材料制备与器件研制 |
361 |
制备硅基微电极的方法 |
ZL.201310062478.2 |
裴为华 |
半导体材料制备与器件研制 |
362 |
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 |
ZL.201310048977.6 |
王晓亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
363 |
低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 |
ZL.201910116788.5 |
杨静 |
半导体材料制备与器件研制 |
364 |
一种热充电型电容器及其制备方法 |
ZL.202110634522.7 |
沈国震 |
半导体材料制备与器件研制 |
365 |
一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 |
ZL.201410077528.9 |
周旭亮 |
半导体材料制备与器件研制 |
366 |
光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法 |
ZL.201811529559.8 |
杨林 |
半导体材料制备与器件研制 |
367 |
混合集成的光纤传感用光学器件 |
ZL.202010118352.2 |
刘海锋 |
半导体材料制备与器件研制 |
368 |
自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法 |
ZL.202010341299.2 |
聂碧颖 |
半导体材料制备与器件研制 |
369 |
一种红外焦平面阵列及其制备方法 |
ZL.202111317545.1 |
薛春来 |
半导体材料制备与器件研制 |
370 |
透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 |
ZL.201811255896.2 |
刘乃鑫 |
半导体材料制备与器件研制 |
371 |
一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法 |
ZL.202011316969.1 |
王晓东 |
半导体材料制备与器件研制 |
372 |
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 |
ZL.201010201505.6 |
孙莉莉 |
半导体材料制备与器件研制 |
373 |
AWG输出波导与探测器有缝对接的集成器件及制备方法 |
ZL.201510385905.X |
吕倩倩 |
半导体材料制备与器件研制 |
374 |
基于标准COMS工艺的ISFET器件敏感膜制作方法 |
ZL.201710981238.0 |
杨翎 |
半导体材料制备与器件研制 |
375 |
血氧探测器探测单元、探头及其制备方法 |
ZL.201810007103.9 |
徐云 |
半导体材料制备与器件研制 |
376 |
一种可调谐单纵模激光器及其制备方法 |
ZL.202011513855.6 |
夏施君 |
半导体材料制备与器件研制 |
377 |
微透镜阵列耦合反射层结构制备方法 |
ZL.202110781608.2 |
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