深圳先进院成功实现一种新型晶态磷纳米带的大规模合成
物理所等在二维拓扑光子晶体微腔研究中获进展
低导通电阻为1.2 kV且Ron,sp为3.4 mΩ·cm^2的 4H-SiC功率MOSFET
基于效率超过24%的量产技术下带有钝化发射极和后接点配置的单晶硅太阳能电池数...
利用准p-OTFTs对有机晶体管的数学分析
采用四阶单环CIFB结构的18位sigma-delta开关电容调制器
高速负电容FinFET SRAM位单元的变化容限
一种高性能自适应连续导通谷电流模式DC–DC 降压变换器
一种0.1–1.5 GHz多倍频程双级四堆叠结构CMOS功率放大器
1064nm InGaAsP多结激光功率转换器
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深圳先进院成功实现一种新型晶态磷纳米带的大规模合成 20-07-02
物理所等在二维拓扑光子晶体微腔研究中获进展 20-07-01
低导通电阻为1.2 kV且Ron,sp为3.4 mΩ·cm^2的 4H-SiC功率MOSFET 20-06-30
基于效率超过24%的量产技术下带有钝化发射极和后接点配置的单晶硅太阳能电池数... 20-06-30
利用准p-OTFTs对有机晶体管的数学分析 20-06-30
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