集成光隔离器一直是光子集成电路(PICs)面临的一个长期挑战。理想的集成光隔离器应采用单片制造工艺，具有尺寸小，操作宽频、极化分集，兼容多种材料等优点。尽管取得了重大进展，但到目前为止所报道的光学隔离器并没有满足所有这些要求。近日，来自中国电子科技大学的研究人员介绍了单片集成宽频带磁光隔离器在氮化硅和氮化硅(SiN)平台上的应用，该隔离器在TE和TM模式下都具有创纪录的高性能，满足了PIC应用的所有基本特性。特别地，研究人员们通过在Si和SiN波导的侧壁上沉积高质量的磁光石榴石薄膜来演示了全TE宽带隔离器，这对于应用于TE偏振片上激光器和放大器来说是一个至关重要的结果。这项工作演示了高性能光学隔离器集成在芯片上的极化分集硅光子系统，开辟了赋予各种集成光子器件非互易的光子功能的新的道路。

图(a)设备布局示意图

（来源：光电汇）