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低导通电阻为1.2 kV且Ron,sp为3.4 mΩ·cm^2的 4H-SiC功率MOSFET

2020-06-30

由于碳化硅的材料物性优势,碳化硅电力电子器件的性能指标较硅电力电子器件更优,其中碳化硅MOSFET可实现低导通电阻、高速开关特性,更适合于高温、高功率的应用,产品开发更是备受关注,目前制约碳化硅MOSFET广泛应用的主要因素为器件的长期可靠性。

宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室长期致力于碳化硅电力电子器件的产品开发工作,目前已量产多种电压等级、电流等级的碳化硅MPS二极管,同时也在小批量生产1200V的碳化硅MOSFET产品。本文的研究不仅关注碳化硅MOSFET导通电流密度的提升,还在设计阶段注重器件内部电场强度的优化,预期获得较好的可靠性,为后续的器件设计提供了参考。开品开发完成后,碳化硅MOSFET可广泛应用于光伏、电动汽车等领域。

图6. 制造的1.2 kV/15 mΩ器件的照片。

Low on-resistance 1.2 kV 4H-SiC power MOSFET with Ron,sp of 3.4 mΩ·cm2

Qiang Liu, Qian Wang, Hao Liu, Chenxi Fei, Shiyan Li, Runhua Huang, Song Bai

J. Semicond. 2020, 41(6): 062801

doi: 10.1088/1674-4926/41/6/062801

Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/41/6/062801?pageType=en

 

 



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