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具有新型安全特性的浮栅晶体管的设计、建模和仿真

2020-10-27

美国佐治亚南方大学物理系H. Zandipour教授等提出了一种具有新型内置安全功能的新一代浮栅晶体管(FGT)。该新型器件可以用于保护IC芯片不使用目前的逆向工程技术(包括扫描电容显微镜(SCM))。即使是对于浮栅上纳米级的微小量的电荷,SCM也可以测量器件C–V特性的变化。所提出的设计在常规FGT基础上仅增加一个简单的处理步骤,即在衬底上增加反向掺杂的注入层。首先对这种新结构进行了理论分析,然后提取二维模型以表示其C–V特性。该模型已通过仿真得到验证。另外,比较了与传统设计和新型设计的FGT的SCM测量相关的C–V特性,以讨论添加层在掩盖晶体管状态方面的有效性。还研究了注入层掺杂浓度的变化对C–V特性的影响。最后,通过比较其与常规FGT的I–V特性,从而检验了所提出设计的可行性。

图1. 在施加在其栅极上的小负电压的影响下的MOPNS。

Design, modelling, and simulation of a floating gate transistor with a novel security feature

H. Zandipour, M. Madani

J. Semicond. 2020, 41(10): 102105

doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102105

Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/41/10/102105?pageType=en



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