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多量子阱肖特基二极管参数提取方法的比较研究

2020-10-27

阿尔及利亚Centre de Développement des Technologies Avancées的Elyes Garoudja教授等测量了100至300 K的温度范围内多量子阱Al0.33Ga0.67As肖特基二极管的正向电流电压特性。该肖特基二极管的主要参数,例如理想因子、势垒高度、串联电阻和饱和电流,已经使用分析和启发式方法来提取。已经选择了差异进化(DE)、粒子群优化(PSO)和人工蜂群(ABC)作为候选启发式算法,同时选择了Cheung technic作为分析提取方法。获得的结果清楚地表明了DE算法在参数精度、收敛速度和鲁棒性方面都具有良好的性能。

图1. 肖特基二极管参数提取策略。

Comparative study of various methods for extraction of multi- quantum wells Schottky diode parameters

Elyes Garoudja, Walid Filali, Slimane Oussalah, Noureddine Sengouga, Mohamed Henini

J. Semicond. 2020, 41(10): 102401

doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102401

Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/41/10/102401?pageType=en



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