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分别采用LDA和LDA+U对含有d电子体系的CdTe缺陷态对比研究

2020-10-27

LAPW 是一种全电子的方法,即同时考虑了芯电子和价电子的相互作用,虽然计算结果很精确,但是对计算机的要求很高,计算量很大,不适合计算多电子体系。而标准的密度泛函理论(LDA/GGA)方法虽然计算速度很快,但忽略了d电子和f电子对基态性质的影响,对于强关联体系计算得到的结果不准确。

基于第一性原理的密度泛函理论,本文以太阳能多晶薄膜 CdTe 中的点缺陷为研究对象,通过采用加U的方法发现,其可以很好地处理含有d 电子或 f 电子的多粒子体系,它不仅解决了标准的密度泛函理论方法在计算中带来的误差问题,同时相对于全电子的LAPW方法计算量也大大降低,可被用来处理含有d电子的多粒子体系问题。

Defect levels in d-electron containing systems: Comparative study of CdTe using LDA and LDA + U

Yuan Yin, Yu Wang, Guangde Chen, Yelong Wu

J. Semicond. 2020, 41(10): 102701

doi: 10.1088/1674-4926/41/10/102701

Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/41/10/102701?pageType=en



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