氧化镓（β-Ga2O3）薄膜材料是目前宽禁带半导体材料领域研究的热点，这种材料在日盲紫外探测和功率器件等方面有着广泛的应用前景。采用斜切(mis-cut)的衬底能有效抑制外延层的缺陷。这种技术被广泛应用于GaN等材料体系的外延生长中，也有将其应用于氧化镓薄膜外延领域的报道。近日，中科院半导体研究所成步文研究员课题组采用MOCVD研究不同斜切角度的蓝宝石衬底上的氧化镓生长技术。研究结果表明斜切的蓝宝石衬底可以明显改善氧化镓材料的外延晶体质量。这对研究氧化镓薄膜异质外延生长及促进其应用有着积极的作用。

该文章以题为“Growth and characterization of β-Ga2O3 thin films grown on off-angled Al2O3 substrates by metal-organic chemical vapour deposition”发表在Journal of Semiconductors上。

图1. 不同斜切角度的蓝宝石衬底上外延氧化镓薄膜：(a) (-201)面的摇摆曲线和 (b) FWHM值。

文章信息：

Growth and characterization of β-Ga2O3 thin films grown on off-angled Al2O3 substrates by metal-organic chemical vapor deposition

Yabao Zhang, Jun Zheng, Peipei Ma, Xueyi Zheng, Zhi Liu, Yuhua Zuo, Chuanbo Li, Buwen Cheng

J. Semicond. 2022, 43(9): 092801

doi: 10.1088/1674-4926/43/9/092801

Full Text: http://www.jos.ac.cn/en/article/doi/10.1088/1674-4926/43/9/092801