[黄昆论坛]第402期： CMOS FET n/p polarity is controlled by DFT Band Alignment of Gate stack Oxides not by the Cation Areal Density
2025-04-21
报告题目： CMOS FET n/p polarity is controlled by DFT Band Alignment of Gate stack Oxides not by the Cation Areal Density
报告人：John Robertson（Engineering Dept, Cambridge University）
报告时间：2025年4月28日 (星期一) 上午10:00
报告地点在中国科学院半导体研究所2号楼351会议室
