科研进展
半导体所在高速光通信光频梳研究方面取得新进展
半导体所轨道霍尔效应研究取得新进展
半导体所在高速直调半导体激光器研究方面取得新进展
半导体所在基于伊辛智能计算的光子集成电路快速重构研究方面取得新进展
半导体所自组织拓扑激光器研发取得新进展
半导体所在集成化耦合式光电振荡器研究方面取得新进展
半导体所氮化物片上光通信集成系统研制取得新进展
半导体所在高速、抗反射硅基量子点直调激光器研究方面取得进展
半导体所等在各向异性层状材料角分辨偏振拉曼光谱定量预测研究方面取得重要进展
半导体所柔性侵入式脑机接口器件植入研究取得新进展
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首页 > 新闻动态 > 科研进展
硅基单片集成可重构光学上下路分插复用器获重要研究进展 09-06-08
量子级联激光器研究取得新进展---研制出室温连续工作的应变补偿铟镓砷/铟铝砷... 09-06-08
国际著名杂志《自然》报道半导体所在光催化研究中取得重要进展 09-03-26
半导体所在提高TiO2光催化效率的研究工作中取得新进展 09-02-10
半导体所在非磁性掺杂的铁磁性半导体研究中取得重要进展 09-01-15
863 “半导体照明工程”重大项目“130lm/W 半导体白光照明集成技术研究”评估... 08-10-30
半导体研究所在非极性氮化镓材料研究中取得进展 08-06-17
“这是一个可以真正实现产业化的科研成果” 08-05-20
半导体所研发成功国际首创WLAN＋移动电视调谐器射频芯片 07-11-05
李树深研究员论文被《自然中国》选为突出研究成果 07-09-25
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破--首次实现室温连续激射的氮化镓... 07-05-09
超晶格室科研人员在国际上首次提出电子的非线性Rashba模型 07-01-26
我国首款完全自主知识产权WLAN芯片研发成功 06-10-31
宽禁带半导体氮化铟低维结构研究取得重要进展 06-09-12
“高性能GaN外延材料研究”通过专家鉴定 06-09-04
“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究” 通过专家鉴定 06-03-20
中国科学院半导体所研发成功快速锁定的锁相环频率合成器芯片 06-03-20
抢占半导体照明新兴产业制高点 06-02-20
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