半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
中国科学院副院长阴和俊调研半导体研究所
半导体所举行2023届研究生毕业典礼
中国共产党中国科学院半导体研究所召开党员代表大会
半导体所研制出一款超高集成度光学卷积处理器
半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展
半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
中科院召开2023年度工作会议
半导体所在激子-声子的量子干涉研究方面取得进展
半导体所召开2022年度工作总结报告会
官方微信
友情链接

半导体所863计划新材料领域“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”创新团队项目课题顺利通过验收

2012-06-04

5月30日,科技部高技术研究发展中心组织专家对半导体所承担的国家863计划新材料领域创新团队项目课题“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”进行了验收。参加此次验收会的科技部领导有高技术研究发展中心副主任王琦安、材料处处长史冬梅、材料处苏小虎研究员;验收专家组成员包括清华大学潘峰教授、北京国科世纪激光有限公司樊仲维研究员,中科院微电子所刘明研究员、北京大学沈波教授、中山大学王钢教授;课题承担单位领导及课题组成员包括半导体所副所长陈弘达、照明中心主任李晋闽、科技处处长郑婉华、科技处副处长鉴海防、照明中心副主任曾一平、王军喜、王国宏及课题负责人李京波研究员等。

   半导体所副所长陈弘达首先致欢迎辞,对各位领导、专家的到来表示热烈欢迎和衷心的感谢,特别感谢王琦安副主任能在百忙之中参加并指导本次验收会。

   科技部高技术中心史冬梅处长介绍了与会专家,并就国家863计划新材料领域创新团队项目课题“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”验收提出了要求与建议。

   验收专家组听取了课题组汇报,考察了现场,审阅了相关验收文件并对现场进行了检查验收。专家组一致认为,该课题提供的验收材料齐全、课题技术指标达到了任务书的要求、部分核心技术实现了产业化转移。通过人才引进和自我培养,形成了一支学科交叉、具有前沿探索能力和工程化、产业化背景的高水平人才队伍。课题完成了合同规定的研究内容,达到了考核指标,验收专家组同意该课题通过验收。

   科技部高技术中心王琦安副主任最后总结发言,指出国家科技改革创新将进一步深化,基于半导体所创新团队项目课题圆满完成的基础上,希望半导体所创新团队再接再厉,为国家半导体照明事业的发展贡献力量。



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明